AI的火热，除了推升GPU需求猛进以外，背后的重要存储技术HBM也在过去几年冲上了风口浪尖。最近，SK hynix和三星的业绩和布局也表明，HBM在未来大有可为。本周，各大厂就HBM方面相关布局也快速推进。 

 首先，4月22日消息，  SK海力士与台积电签署谅解备忘录，合作开发下一代HBM，并通过先进封装技术增强逻辑和HBM集成。海力士公司计划通过这一举措继续开发HBM4，并预计将于2026年开始量产。公司表示，从HBM4产品开始，公司准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。除此之外，SK海力士还表示，他们将把下一代后处理技术“混合键合”应用于HBM4产品。与现有的“非导电膜”工艺相比，它提高了散热效率并减少了布线长度，从而实现了更高的输入/输出密度，这会将当前的最大12层增加到16层。 

 其次，4月26日消息，SK海力士宣布，为应对用于AI的半导体需求剧增，决定扩充HBM等新一代DRAM的生产能力，公司将建设在韩国清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并决定向厂房建设投资约5.3万亿韩元。随着AI时代的来临，公司认为，预计年均增

长率高达60%以上的HBM、以面向服务器的高容量DDR5模块为主的普通DRAM产品需求将持续增加。在此趋势下，要想确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，则至少需要相对于普通DRAM至少两倍以上的生产能力。公司认为，提高以HBM为主的DRAM产能是其首要课题.

 再者，4月24日据外媒报导，三星已经成功与处理器大厂AMD签订了价值30亿美元的新供应协议。三星将向AMD供应HBM3E 12H DRAM，预计会用在AMD Instinct MI350系列AI芯片上。三星于2024年2月正式宣布业界首款HBM3E 12H DRAM，拥有12层堆叠，带宽高达1280GB/s，容量为36GB，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。HBM3E 12H采用先进的TC NCF薄膜，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，在更高的堆叠上具备优势，同时该TC NCF还通过在芯片之间使用各种尺寸的凸块来提高HBM的热性能。三星强势击，HBM竞争趋于白热化，各大厂正运筹帷幄，加速推进HBM的迭代与落地。

由于三星是 AMD 长期以来最重要的策略供应伙伴，2024 年第一季，三星HBM3产品也陆续通过AMD MI300系列验证，其中包含其8h与12h产品，故自 2024 年第一季以后，三星 HBM3 产品将会逐渐放量。

 风险提示：技术发展及落地不及预期；下游终端出货不及预期；下游需求不及预期；市场竞争加剧风险；地缘政治风险；电子行业景气复苏不及预期。 

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