事项： 在CES 2024，以三星、SK海力士、美光为代表的各大存储厂商纷纷展示了自 家在存储领域的前沿技术和最新产品。 平安观点： AI成为存储行业焦点，头部厂商纷纷推出AI存储新品。本次CES 2024大 会上，明显看出头部存储厂商对于AI的重视程度，纷纷推出相关的高端 存储新品。其中，SK海力士展示了HBM3E、CXL内存接口、CMS试制 品以及内存加速器AiMX等产品，产品类型丰富，进一步彰显出SK海力 士在AI领域领先的技术实力；三星同样围绕AI进行布局，针对生成式AI 推出12nm级32Gb DDR5 DRAM、HBM3E DRAM“Shinebolt”以及CXL内 存模块产品“CMM-D”等新品，同时还针对端侧AI市场推出LLW DRAM， NAND产品包括PM9D3a以及PB SSD（Petabyte Scale SSD）；美光则 推出业界首款标准低功耗压缩附加内存模块LPCAMM2，主要为PC提供 更高的性能和能源效率，与传统SODIMM相比，体积缩小64%，功耗降 低61%，PCMark 10基本工作负载（如网页浏览和视频会议）性能提升 71%。 AI持续赋能硬件终端，推动存储规格和容量双重提升。B端来看，随着 ChatGPT等大模型引爆AI时代，AI算力升级拉动AI服务器需求提升，相 应推动了HBM等高端存储需求增长，根据TrendForce预测，当前头部存 储厂商纷纷扩大HBM产能建设，预计2024年HBM供给位元量将同比增加 105%；C端来看，AI应用在生产力设备上能够显著提高办公效率，我们 认为PC将成为当前AI落脚C端的最佳载体，与传统PC相比，AI PC除了 处理器提升，在存储方面同样存在显著的硬件升级需求，不仅需要高规 格、高容量的内存，同时由于AI PC使用AI应用需要本地数据库支持，意 味着存储空间需要进一步扩大，以搭载酷睿Ultra处理器的ThinkPad X1 Carbon AI为例，该AI PC最高支持32GB LPDDR5X+2TB SSD。 行业周期筑底向上，存储产品延续涨价趋势。根据TrendForce数据， 2024年第一季度DRAM整体合约均价将环比增加13-18%，其中，手机 DRAM涨幅较为明显，主要因为当前手机存储合约价处于低点位置且手 机库存水位相对健康，相应的带动了购货需求。NAND Flash方面，预计 2024年第一季度整体合约均价将环比增加15-20%，其中，NAND原厂由 于累计亏损严重，对于涨价意愿强烈，23Q4的3D NAND Wafer合约均 价环比增加35-40%，考虑到当前需求复苏程度，部分原厂短期依旧实施 产能控制，预计3D NAND Wafer价格合约均价在24Q1仍能环比增加8- 13%。

投资建议：一方面，从行业角度看，当前头部存储原厂的减产效果开始逐步显现，叠加下游需求开始复苏，不论是DRAM 还是NAND Flash，在23Q4整体价格上涨的基础上，24Q1有望延续涨价势头，TrendForce预测24Q1 DRAM整体合约均价 将环比上涨13-18%，NAND Flash整体合约均价将环比上涨15-20%，存储周期开始筑底反弹。另一方面，随着高性能计算 以及AI功能需求的快速增加，以及AI PC等AI硬件产品持续推出，为保证AI应用的流畅运行，存储的规格和容量均需进行配 套升级，高端存储产品和技术将迎来渗透加速，建议关注江波龙、澜起科技、北京君正、德明利、朗科科技。 风险提示：1）国产化替代不及预期风险：国产化替代是行业主旋律，若落地推进速度放缓，可能对产业链公司业绩拓展带 来不利影响；2）下游终端需求复苏不及预期风险：存储赛道长期处于低迷状态，若需求复苏节奏放缓，可能导致行业低位 状态难以摆脱；3）国内厂商对先进技术的研发进程不及预期风险：技术先进性是产业链相关标的竞争力的源泉，若其先进技术的创新研发遇到瓶颈，可能导致下游高端市场需求难以满足。