天岳先进为国内碳化硅衬底龙头,公司询价完毕,将于12.31网上申购,此次发行市值356亿。(1)产能优势:半绝缘碳化硅衬底全球市占率前三,募投建设6寸导电型衬底厂,一期产能30万片。(2)技术壁垒:承担国家01专项、03专项、863计划,攻克单晶生长、缺陷控制、衬底加工等难题,拥有已授权专利332项,详细客户进展请私信交流。
碳化硅行业处于爆发前夕,三大下游市场:电动汽车、射频、工业和能源。2026年全球市场规模超80亿美元,天岳上市有望带动碳化硅整体机遇:设备(晶盛机电,北方华创,天通股份);衬底(三安光电,天岳先进,天科合达,山西烁科);外延(三安光电,凤凰光学,东莞天域,瀚天天成);制造(三安光电,时代电气,华润微,士兰微,积塔半导体);器件(三安光电,时代电气,华润微,士兰微,新洁能,斯达,宏微科技,扬杰科技,闻泰科技)。
1、三安光电:SiC衬底至器件一体化布局优势尽显,公司衬底已获国际龙头认证,二极管新开拓客户518家,工业级MOS已送客户验证,车规级正在测试。产能方面,目前公司碳化硅产能约3000片/月,远期产能将超3万片,对应收入体量近百亿。
2、凤凰光学:普兴电子新建年产36万片6寸SiC外延片项目,预计22年9月投产,国盛电子SiC外延片项目规划年产24万片。凤凰光学有望成为全国最大SiC外延片厂,预计2021/2022年合计利润5.5/7亿元。
3、时代电气:国内最先布局SiC器件,2017年拉通国内首条6英寸SiC芯片试验产线,已研制2款车规级1200V SiC MOS,国内首发基于自主SiC器件的高压电驱产品。凭借汽车IGBT的客户积累,有望延续SiC器件领先优势。
4、士兰微:公司SiC中试线已通线,预计22年1月推出SiC二极管及MOSFET,面向光伏、新能源汽车市场。作为国内产能最大、最先突破12寸线的IDM公司,客户资源、产品设计、工艺经验丰富,为迎接SiC放量奠定基础。