据台湾经济日报今日援引研究报告称，由于CoWoS设备交期依旧长达8个月，台积电本月开始改装设备，启动整合扇出型封装（InFO）改机，预计此举可将CoWoS月产能提升至1.5万片，优于市场共识的1.2万片。展望明年CoWoS产能状况，届时台积电CoWoS年产能有望倍增，其中英伟达在其CoWoS总产能中占比约40%，AMD占比约8%。
与此同时，英伟达也同步增加布局非台积电供应链（联电、日月光、Amkor等）的CoWoS产能，今年四季度放量。
分析师预计，明年台积电以外的CoWoS供应链有望增加20%产能。英伟达将于明年上半年推出H200架构，明年下半年推出B100架构。
从B100架构开始，英伟达将采用Chiplet技术，对台积电先进封装将采用CoWoS-L技术。且不止一家机构评估显示，B100架构可能采用台积电4nm制程，或将采用结合2颗GPU晶粒（Die）和8颗HBM。
此前台积电总裁魏哲家曾指出，因为客户需求紧急，到2024年台积电CoWoS产能开出规模有望翻倍，预估到2025年，台积电会持续扩充CoWos封装产能。
根据 Yole 最新数据，2022 年先进封装市场约400亿美元，预计到 2028 年，市场规模有望提升至近800 亿美元，市场空间翻倍，占整体封装市场 58%。
二、Chiplet 封装核心材料，光敏聚酰亚胺市场增量7年6倍！
随着先进封装需求的提升，光敏聚酰亚胺（PSPI）作为先进封装的和新材料，是先进封装材料中增速最迅猛的细分，7年市场需求将翻6倍！
光敏聚酰亚胺（PSPI）是一类在高分子链上兼有亚胺环以及光敏基因，集优异的热稳定性、良好的机械性能、化学和感光性能的有机材料。
光敏聚酰亚胺在电子领域主要有光刻胶及电子封装两大作用，在光敏聚酰亚胺中添加上增感剂、稳定剂等就可以得到“聚酰亚胺光刻胶”。
PSPI 光刻胶相比于传统光刻胶，无需涂覆光阻隔剂，能大幅缩减加工工序。
同时PSPI 也是重要的电子封装胶，光敏聚酰亚胺作为封装材料可用于：缓冲涂层、钝化层、α射线屏蔽材料、层间绝缘材料、晶片封装材料等，同时还广泛应用于微电子工业中，包括集成电路以及多芯片封装件等的封装中。
光敏聚酰亚胺的另一作用是作为先进电子封装树脂。随着电子产品小型化、薄膜化、高性能化、多功能化、高可靠性和低成本化，市场需求使得集成电路封装密度增加，对于IC 封装材料的要求也日益提高。
随着大芯片时代的到来，原有的金属、陶瓷材料封装工艺技术受到了极大的冲击，以光敏聚酰亚胺（PSPI）树脂等为代表的电子封装材料正逐渐崛起成为重 要的IC 封装材料。
光敏聚酰亚胺作为封装材料可用于：缓冲涂层、钝化层、α射线屏蔽材料、层间绝缘材 料、晶片封装材料等，同时还广泛应用于微电子工业中，包括集成电路（ICs）以及多芯片 封装件（MCPs）等。
Chiplet 技术是延续摩尔定律的重要选择之一，市场规模增长迅速。在Chiplet 的封装结构中，光敏聚酰亚胺（PSPI）和电镀液是微凸点、中介层和TSV 实现信号从芯片到载板间的传递的核心材料。PSPI 是中介层里金属布线层的重要介电材料。
国风新材在调研纪要中表示，2023年上半年，公司重点研发项目成果显著，自主开发的芯片封装用聚酰亚胺薄膜（COF封装用高强高模PI薄膜）经下游客户试用反馈，产品综合性能优秀；
公司与高校、科研机构开展深度合作，共同推动新产品开发，与中科大先研院联合开发的半导体封装用光敏聚酰亚胺（PSPI）光刻胶，取得阶段性成果，目前处于实验室送样检测阶段。
目前公司聚酰亚胺膜材料建成和在建的有12条产线，其中位于合肥市高新区 4 条热法生产线已建成投产；位于合肥市新站高新区聚酰亚胺生产线在建 8 条，其中两条热法生产线已进入安装调试阶段，其余生产线正按计划加速推进建设，将陆续投产。目前已量产并投放市场的主要产品为不同厚度规格的FPC用聚酰亚胺黄色基膜、遮蔽用聚酰亚胺黑膜、以及聚酰亚胺碳基膜等。
光敏聚酰亚胺（PSPI）门槛高、技术难度大、需求迅速提升，作为先进封装大芯片时代增量最大的材料细分市场，国产化配套需求迫切。
背靠中科院，优先布局并投产PSPI的国风新材，当前打破了美日企业垄断，攻克PSPI技术卡脖子的问题，极有可能在7年6倍的PSPI超大增量市场中获得大部分市场份额。
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