导火索：

北京时间 11 月 13 日，英伟达发布H200，其升级重点为搭载全新 HBM3e 内存，H200 作为首款采用 HBM3e 的 GPU，拥有 141GB 显存容量和4.8TB/s 显存带宽。与 H100 的 80GB 和 3.35TB/s 相比，显存容量增加 76%，显存带宽增加 43%。据英伟达称， H200 预计将于 2Q24 出货， AWS、谷歌云、微软 Azure、甲骨文云等均将成为首批部署基于 H200 实例的云服务提供商。

1、算力带动HBM需求，HBM持续迭代升级

与DDR对比，HBM基于TSV工艺与处理器封装于同一中介层，在带宽、面积、功耗等多方面更具优势，缓解了数据中心能耗压力及带宽。训练、推理环节存力需求持续增长、消费端及边缘侧算力增长打开HBM市场空间。2022年全球HBM市场规模约为36.3亿美元，预计至2026年市场规模将达127.4亿美元，CAGR达37%。

HBM持续迭代升级，2023年主流HBM从HBM2E升级为HBM3甚至HBM3E，HBM3比重预估约为39%，2024年提升至60%。当前HBM市场仍由三大家主导，2022年全年SK海力士占50%，三星占40%，美光占10%。

2、TSV为HBM核心工艺，电镀、测试、键合需求提升。

TSV为HBM核心工艺，成本占比接近30%，是HBM 3D封装中成本占比最高的部分。TSV通孔填充对性能至关重要，铜为主流填充材料。TSV成本结构中通孔填充占比25%，驱动电镀市场规模增长。 

TECHCET预计2022年先进封装和高端互联应用中，电镀材料全球市场规模近10亿美元，到2026年预计超过12亿美元。HBM需要进行KGSD（Known Good Stacked Die）测试，拉动测试需求。HBM高带宽特征拉动键合需求，从μbump到TCB/混合键合，推动固晶步骤和固晶机单价提升。