碳化硅研发迈入8英寸时代：8月12日公司首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，晶坯厚度25mm，直径214mm，成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，为公司在SiC晶体领域重大突破。

#深耕碳化硅“材料”+“设备” 晶盛于2017年布局碳化硅业务，2020年建立长晶与加工中试线。（a）材料端，年产40万片碳化硅半导体材料项目目前正处于厂房前期准备中，先期以6英寸为主。（b）设备端，成功开发出碳化硅长晶炉、抛光机、外延等设备。

#我们的观点 公司SiC同时布局“材料”+“设备”，8英寸SiC导电单晶研制成功，彰显其在第三代半导体材料SiC领域领先的研发实力。

——【光伏设备系列研究】