《科创板日报》11月28日讯（编辑 宋子乔） 在推进HBM迭代的同时，SK海力士还在探索成本更低的内存芯片封装方法。

根据韩媒Business Korea报道，业内人士透露，SK海力士准备在下一代DRAM中应用2.5D扇出（2.5D fan-out）封装技术，最快将在2024年发布相关方案。

这种技术将两个DRAM芯片水平并排放置，然后将它们组合成一个芯片，由于芯片下方没有添加基板，能使芯片更薄，安装在IT设备时的芯片厚度能大幅减少。

值得注意的是，扇出技术是比其他封装类型具有更多I/O的小型封装，以前从未用于存储行业，而是主要应用于半导体制造领域。

2016年，苹果借助台积电的扇出晶圆级封装（FOWLP）技术，将其16纳米应用处理器与移动DRAM整合到iPhone 7的一个封装中，从而将这项技术推向舞台；三星电子从今年第四季度开始将这项技术引入到Galaxy智能手机的先进AP封装中。

▌SK海力士“两条腿走路” 降本或成最大动力

先进封装为延续摩尔定理、提升芯片性能及集成度提供技术支持，随着生成式AI的发展，算力需求井喷，对芯片性能提出了更高的要求。HBM在带宽、功耗、封装体积方面具备明显优势，目前，高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流。

SK海力士是HBM方案的强有力推动者，按照之前的计划，SK海力士最早将在2026年量产第六代HBM，即HBM 4，其将拥有12层或16层DRAM。SK海力士还透露，将把下一代后处理技术“混合键合”应用于HBM 4产品。

HBM为3D封装最典型应用，通过将多个DRAM芯片堆叠在一起，实现了更高的存储带宽和更低的延迟，而扇出封装技术属于2.5D封装方案。

这家存储龙头公司如今选择“两条腿走路”，降本或成其探索新路径的最大动力。

HBM由于其复杂的设计及封装工艺导致产能较低同时成本较高。BusinessKorea报道称，业界认为2.5D扇出封装技术可以跳过硅通孔（TSV）工艺来降低成本，同时增加输入/输出（I/O）接口的数量。业界推测，这种封装技术将应用于图形DRAM（即GDDR，广泛用于高性能3D游戏、个人电脑、笔记本电脑或播放高分辨率视频的设备中），以及其他需要扩展信息I/O的领域。

从投资角度看，综合东方证券和华金证券研报，TSV贯穿2.5D/3D封装应用，TSV工艺包含晶圆的表面清洗、光刻胶图案化、干法/湿法蚀刻沟槽、气相沉积、通孔填充、化学机械抛光等几种关键工艺，运用到晶圆减薄机、掩膜设备、涂胶机、激光打孔机、电镀设备、溅射台、光刻机、刻蚀机，同时配套的电镀液、靶材、特种气体、塑封料等需求亦有望快速提升。