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同有科技发布全新一代自主可控全闪分布式存储
股事人生
高抛低吸的散户
2024-03-28 09:59:27

      同有科技消息,3月28日,同有科技正式发布最新一代自主可控全闪分布式存储——NetStor® 18000系列产品。该系列是国内首款基于PCIe 5.0的自主可控全闪分布式高端存储产品,在存内计算、系统总线、软件架构、网络协议等方面全面升级,实现了性能代际跨越增长。完全满足AI、大模型、HPC、大数据分析等之前只能靠国外高端产品才能满足的超高性能应用需求。  

 同有科技是国内领先的、拥有自有品牌和自主知 识产权的民族存储厂商,专注数据存储、数据保 护、容灾等技术的研究、开发和应用。 公司历史沿革呈现“起步”、“跨越”、“腾飞”的阶段特 征,股权结构较为分散,管理层专业背景深厚,博士占比 25.00 %,涵盖工学、经济学等学科,任期稳定;公司聚焦系 统级存储,已成为驱动业绩增长的重要支柱,同时在原有集 中式产品优势的基础上,打造了存储系统新的业绩增长点。

  需求端看,企业级存储系统迈入高景气度通道, SSD 成为未来企业级存储的主流方案。 NAND FLASH 经历多年发展,3D NAND颗粒进入大家视野,厂 商逐步转向开发和制造3D NAND FLASH,核心技术转向完成 更多层数的三维堆叠;全球存储器市场发展潜力巨大,2021 2027 年年复合增速为8%,其中DRAM占据市场最大份额,继 续领跑存储芯片细分市场,占据50%以上的市场,CAGR达到 约9%;在全球云计算高速发展的趋势下,国内外超大型云服 务厂商对于企业级SSD的需求量正在进一步上升,预计2030 年SSD存储形式在数据中心中占比将达到55%,存储芯片下 游企业级应用市场正在快速增长。

 供给端看,海外厂商领跑全球存储器市场,国内 厂商追赶进度加速。 我国集成电路发展相对海外较晚,目前存储芯片国产化率较 低,主要依靠海外进口;海外厂商SK海力士技术领跑NAND FLASH 市场,三星DRAM技术领跑全球存储芯片市场;国产企 业对于存储芯片开启大规模布局,国内存储芯片市场面临重 新洗牌局面,存储器的国产替代进程随着国家政策资金以及 下游厂商的支持,有望进一步加速。 

 公司具备全栈自主研发能力、全系列自主可控产 品线,在手订单充沛。 公司深耕存储行业三十余年,积累了特殊行业、科研院所、 政府、医疗、能源、交通、金融、制造业和教育等多个行业 的超20000家客户;公司高度重视研发,近三年平均研发投 入占比超过15%,累计研发投入近2亿元,具备了国内领先 的从芯到系统的全栈自主研发能力,涵盖从模型、算法到架 构全自主研究、设计、开发实现全链条,拥有百余项存储关 键技术知识产权积累;公司具备全系列自主可控存储产品 线,战略布局“自主可控、闪存、云计算”三大产业方向, 并购、投资优质闪存技术标的,成功打造闪存产业链;“十 四五”规划指出,国防信息化将成为军队建设的关键领域, 存储作为IT系统的重要组成部分,公司在特殊行业积累深 厚,标杆项目验证实力,在手订单充沛,有望迎来重大发展 机会。

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