公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，项目建设工期24个月。项目建成达产后，将现有平面栅SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。
SiC市场的增长主要来源于市场需求的增加，由于其带隙较宽、击穿场强、热导率强，目前主要应用于电源、新能源汽车、电机驱动、光伏和储能等领域。随着双碳经济、新基建等国家战略的实施，SiC的使用量将进一步提升，一些产品将从硅基变成SiC。
新能源车，光伏业的IGBT和IGCT用量增长较快，从公司预批半年的业绩预告来看，在车辆业务下滑的不利情况下，依然增长2成，可见芯片业绩增长可观。此次技术升级，证明公司已全面掌握平面栅（DMOS+）技术、沟槽栅 (TMOS) 技术和精细沟槽（RTMOS）技术。
公司关联企业中车cvc投资入股天岳。SiC供货有保证。