事件：功率半导体IGBT板块近期市场关注较多，机构认为主要催化和逻辑包括：

1）全球功率龙头Wolfspeed（收入超预期）和电动车龙头Tesla连续大涨并创历史新高；

2）光伏上游硅料和硅片价格有下降预期，明年光伏装机或超预期；

3）国产逆变器龙头厂商德业、固德威等纷纷开始和国内功率龙头厂商合作并放量，开启光伏IGBT领域国产替代大幕；

4）IGBT板块涨价克制，光伏/电动车/储能等下游需求高增+国产替代同时进行，明年业绩确定性高，年底估值切换。

IGBT板块核心投资逻辑：
1、五轨交汇核心器件，成长性高：五大成长性赛道的核心半导体部件：新能源车电驱动的核心零部件（占IGBT市场20%，未来增速快)，工控变频器的核心零部件（占IGBT市场25%），光伏风电的核心零部件 （占IGBT市场15%），储能逆变器的核心零部件（占比尚小，未来空间巨大），充电桩核心零部件（占比尚小，未来占比不断提升）；此外市场分布在家电高铁地铁等领域，2020年国内200亿RMB全球400亿RMB市场，预计未来5年行业复合增速10-15%；

2、高壁垒低市占率，工控->电动车->光伏逆变器依次展开替代：IGBT 模块是各个领域的关键部件，其性能表现、稳定性和可靠性对下游客户来说至关重要，认证周期较长，替换成本高，因此全球IGBT集中度较高（英飞凌30%，三菱14%，富士12%，安森美、意法半导体各占接近10%），国内龙头IGBT厂商斯达预期今年16亿收入占全球比4%，其余典型厂商士兰微/时代电气/宏微科技等全球市占率也均在5%以下，替代空间广阔。继家电工控和电动车国产替代后，目前光伏逆变器国内大厂均和上述国内厂商密切接触验证和小批量，预计未来三年掀起光伏逆变器IGBT国产替代浪潮；

3、国内IGBT厂商未来五年受益行业空间增长（2倍量级）*市占率增加（每家2-5倍量级不等）*芯片自制比例提升/规模效应提升盈利能力，成长空间广阔且确定性高。机构关注：1）士兰微（MOS、家电IPM、IGBT单管向工控IGBT、车载IGBT、光伏IGBT领域产品升级，12寸功率IDM保证产能）；2）斯达半导（从工控拓展到汽车，下一站光伏和家电，未来5年行业200亿->400亿，国内市占率从5%->20%)；3）时代电气（地铁IGBT未来拓展至高铁，新产线爬坡，进军车载和光伏IGBT）；4）宏微科技（工控为基，积极切入光伏逆变器）5）新洁能：（MOS国内领军，拓展工控和光伏逆变器IGBT）。

风险提示：国产技术进步不及预期，需求不及预期，竞争加剧