1. 项目特点：1）业界首条M6大产能量产线，第一条5,000pcs/h，第二条8,000pcs/h（国内首条）；2）当前单线250MW，下一期目标500MW，大产能是异质结必走之路，预留500MW单线PECVD验证场地；3）首条IINP量产工艺，预计提效+0.2%；4）首条12BB SMBB量产线，预计M6银浆耗量低至140mg；5）首次试验银包铜浆料，预计Q4正式出货；5）电池组件一体化开发，用了高精度切串一体机；6）应用迈为工业4.0片级追踪系统；7）建立全球最先进实验线，预计Q2-Q3 210尺寸实验线move in，同时钙钛矿电池move in。

2. 项目成果：1）目前跑到20%左右产能，预计Q2到70%，Q3达到90%，目前看可能会加速；2）目前跑到20%产能的时候，单天最高量产平均效率24.12%；单批最高平均效率24.44%；3）冠军电池片效率24.73%，Voc达到0.748，FF达到84.97，目前电流密度38.93，还有提升空间；从现在参数来看的话，冠军电池片转换效率有望突破25%。

3. 产品介绍：1）电池产品目前温度系数-0.26%，无PID/LID，90%双面率；2）组件产品：最近拿到12BB组件认证证书，最高功率档是480W（144版型），目前出售的最高功率是470W（但需要调试过程）。今年异质结组件出货主功率预计为460-470W，温度系数-0.26%，需要强调的是，我们目前推出的异质结组件，30年功率质保衰减不超过12%，应该还有机会做的更好。

4. 电池端技术关键：吸杂退火（这是降低硅成本的关键）、非晶复合膜、纳米/微晶硅（现在电流密度是38.93左右，为了进一步提升电流密度，未来走微晶化是必由之路）（公司认为基于现在的非晶结构，平均效率做到24.7%是可能的，但是效率要再往上做到25%以上，应该要走微晶的路线）、界面钝化、TCO优化（有利于降低银浆耗量）、低银耗高精度印刷技术、大硅片、叠加钙钛矿。

5. 组件端技术关键：搭配高精度丝印、高精度切串一体、甚至做0BB组件。

6. 银包铜超期：1）组件工艺上，传统9BB湿重250mg，12BB搭配高精度丝印达到160mg，搭配丝印和组件端工艺窗口的匹配，改善串焊拉力，极限做到140mg；2）银包铜：比起纯银效率下降0.13%，但CTM提高，组件端效率无下降。预计Q4银包铜组件出货，较预期更快。

7. 制造成本：预计今年HJT全制造成本低于0.7元/W。明年随着银浆耗量下降和国产化，预计年底与PERC打平。

8. 目标：1）今年年底扩产210产线，目标142版型组件大于700W，转换效率达到24.7%。今年全年目标平均效率达到24.5%，明年达到24.7%-24.9%（非晶做到24.7%差不多）。2）2021年扩产2GW，2023年满产；3）2025年10GW全线满产；叠层中试线投产。

1. 光伏产业链变革和后续发展：1）大硅片减薄是趋势；2）电池的未来是双面电池，PERC 双面率大概是65~70%，TOPCon 80%，未来目标是85%，异质结90-93%，最高可达95%；3）HJT高密度组件有挑战，要解决切片损失的问题；4）智能逆变器、高耐压组件，以及智能跟踪器要突破。

目前主流p-PERC升级效率提升有限：23.5%应该是行业内PERC平均效率的未来主流水平。

2. Topcon目前进展：晶科和天合在TOPCon效率上破了世界纪录，但真正TOPCon规模化量产我国去年不到3GW，主要是中来2GW，晶科几百MW。虽然实验室记录24.9%，但产线上24.0%都非常困难，与电子的选择性传输有关系，HJT在效率上还是有很大的优势。

3. Topcon和HJT各有优劣：1）topcon技术与PERC兼容，估计市场上有100GW的PERC产能有升级需求，但topcon不适合薄片化；2）HJT兼容下一代更高效技术（钙钛矿叠层，Topcon做叠层工艺太复杂，性价比不高），但目前设备投资额高；HJT利于薄片化。

4. 长期看好叠层电池：欧洲公司都押宝叠层，未来叠层30%+的量产效率是很可能实现的。

1. IBC的结构不仅仅有消除栅线遮蔽这一个好处，它很长时间都是最高效的电池结构。

2. HBC（IBC+HJT）概念可行，2017年出现26.63%的HBC电池，是目前效率最高的电池。HBC优势包括：1）进光面敞开进光；2）载流子收集效果更好；3）银耗可以下降；4）省一面的TCO和本征非晶硅，设备或腔体投资下降。

3. IBH（HBC）工艺设想：使用金属掩膜，成本更高、难度更大，但值得一试，都是几个微米级的机械精度，现行技术能够实现。

4. 光伏研究院已经完成双面连续的热丝CVD样机研发和工艺数据包积累，计划为HJT电池提供热丝CVD工艺；为Topcon提供热丝CVD解决方案。热丝CVD优点包括：造价低、膜质好（无等离子体损伤）、沉积快，气耗低、无绕度。

1. 退火吸杂：建议每个做HJT电池的公司都做退火吸杂这道工序，做了后对硅片的要求下降了。未来可将吸杂放置在硅片环节。退火吸杂可以提高0.15~0.2ppt的平均效率。

1）从组件半片化到电池半片化：保证大片+薄片的应用，降低切损和隐裂；120微米的210半片有望成为未来标准。

2）从电池半片化到硅片半片化：降低硅片切割本身难度；提高半片精度，减少激光切割的应力和损伤；匹配边皮切割硅片，统一产品的规格。

3）从硅片半片化到硅棒半片化：终极解决办法是硅棒半片，目前210硅片的切片良率很低，170-175μm的良率大多不及90%，但如果在硅棒就切半，厚度只有105mm，比156硅片在厚度上还要薄，很多切片的问题就不存在，包括线横、跳线、厚薄不均等。

3. 高精度硅片：目前硅片公差±0.25mm，未来希望做到±0.15mm甚至±0.1mm。对于异质结来说，还可以减少PVD掩膜的宽度，硅片公差降低0.1mm，有0.15ppt的效率增益。

4. 硅片降本空间非常大：异质结时代对硅片的要求与PERC时代完全不同，可惜现在由于规模太小，没有一家专门为异质结生产硅片的厂家。通过退火吸杂可以降低0.2-0.3元/W的硅成本下降，通过半棒的硅片切薄20-30μm，又可带来几毛钱的成本差异，边皮切割再贡献一毛多的收益，再通过边缘的精磨可以贡献0.15-0.2ppt的效率，因此如果专门为异质结打造硅片，可以使得异质结在硅片上的成本比PERC便宜20%。

5. 为什么看好HJT？到现在为止， PERC现在是每W 0.5元硅成本，0.1元银浆成本，其他成本0.1元（0.02设备折旧，0.02人工，0.03电费，其他水费特气），总共0.7元的成本。为什么喜欢HJT，因为现在没有看到任何一个技术可以省这么多的硅和银（SMBB+银包铜），要重点去降硅和浆料成本，其他地方降无可降了（当然HJT还可以降低人工和电费）。另外，TCO上我们还有突破，现在大家预测0.04元/W的TCO成本，我们希望做到0.025元/W。要做到：省硅、省银、省铟、省电、省钱。

6. 成本展望（问答环节）：预计电池成本异质结可以比PERC便宜0.1元/W以上，期待通过产业链努力，明年实现与PERC平价，后年实现异质结比PERC便宜0.1元/W，最终差价超过0.1元/W。具体来看，薄片化省20%，浆料成本省30%，人工和电费成本省0.02元/W，效率增益对应省0.05元/W，唯一差的是的铟，努力下降0.025元/W，以及设备贵0.02元/W。如果电池便宜0.1元/W，组件就可以便宜0.16~0.17元/W，同时功率高7~8%。

7. HJT订单估计：估计是今年10GW，明年20~30GW。（全行业）

1. 公司介绍：公司开发PECVD设备超过8年，拥有完整的异质结电池片中试线，客户10家，验收7家，获得1.5GW PECVD订单，已交付1.15GW。计划2022年登陆科创板。研发部门在上海，生产基地在泰兴，泰兴基地具有年产15GW的年量产设备能力。另外有年产能25GW的生产场地规划。

2. 现有成果：PECVD在一家客户稳定运行2年，量产平均效率24.5%，最高效率25.18%，产能达到合同产能95%。均匀性、碎片率等指标远远超过合同指标。碎片率达到0.06%，最近了解可达到0.04%。华晟从Move in到出片仅用2个月，一周时间效率从23.18%爬升至24.39%。

公司的设备验证结果，IN-IP较I-IN-P效率绝对值高0.1-0.2ppt。

3. 核心技术：1）双真空反应腔；2）模块化抽屉式腔体（可通过堆叠腔体提高产能）；3）40.68/13.56 MHZ可选；4）182&210半片产能大于260MW。

4. PVD：公司正在研发、即将在8月推出的PVD样机，设计年产能250MW。

5. 整线方案：1GW产能需要3台湿法、4台PECVD、4台PVD、5台丝印，占地面积8400平方米，预留AGV通道（基于方块厂房），同时提供MES系统实现片级追踪。设备制造5个月、安装调试3个月、试生产1个月、验收1个月、交付后驻场质保12个月。

1）HIT低温工艺，铜氧化失效低；

2）HIT固有电池结构可以抑制铜在硅中的电迁移，首先银包着铜，起到了一定阻隔作用，第二，银铜浆料用的片状银粉，不会直接接触硅片，第三，PVD会生成ITO膜层，一定程度上实现阻挡；

2. 公司第二代银铜浆料与标准纯银浆料比较，银含量降低30%，电池效率几乎一样。银铜浆料不太可能承载较大电流。银铜浆料与全银浆料的开发不同点在于：银铜浆料都用在细栅上，主栅难度更大，因此需要在收集更多细栅数据情况下再推主栅。而全银浆料细栅的难度比主栅高。

1）在纳米银颗粒的设计上，增大银粉在金字塔底部的填充，获得更好的接触；

2）浆料提高电导率，降低RS；

3）浆料塑性与高宽比做到更好水平；

4）降本要求很高，努力实现效率改变不多的情况下，大幅降低银含量，并且要满足更高印刷速度的需求，目前是200~250mm/s的印刷速度，未来要高达到300~350mm/s。

华晟新能源于2020年7月21日创立于宣城经开区开盛光伏产业园，开盛集团为大股东。园区目前占地270亩，但异质结仅为其中一个项目，此外还包含柔性铜铟镓硒项目。华晟将过去的库房改造后作为电池厂房，也把过去部分柔性铜铟镓硒厂房改造做了组件厂房。

第一期500MW采用创新的轻重资产分离模式，所有的重资产是政府投资，轻资产由华晟与政府运营，实现充分发挥国企的管制与市场运营的灵活性。

目前异质结项目是宣城市政府和经开区重点扶持的一号工程，满足天时地利人和：

从注册到投产仅花9个月：2020.7.21创办公司，7.31设备招标，10.26施工方正式经常，11.07开始动工，11.19首台电子设备搬入，2021.1.15首片组件下线（做了一段时间PERC，等电池开始调试才切换HJT组件），3.17开始工艺调试，3.22产出首片异质结电池，转换效率第一炉23.2%，第二炉23.7%-23.8%，第三炉24.22%左右。经过5周调试，目前电池组件全面投产，今天首批组件出货。

电池产品（这是我们9BB和12BB的电池，主要是右边的12BB）：目前温度系数-0.26%，无PID/LID，90%双面率。我们是行业里第一家量产12BB 166异质结电池片和组件的厂家。

组件产品：最近拿到12BB组件认证证书，最高功率档是480W（144版型），目前出售的最高功率是470W（但需要调试过程）。高精度切串一体是把电池组件连在一起，把丝印串焊打通，难度较高，最近切换到全自动生产组件，发现返修率还是比较高，良率还需要逐渐提升，未来逐渐克服。今年异质结组件出货主功率预计为460-470W，温度系数-0.26%，需要强调的是，我们目前推出的异质结组件，30年功率质保衰减不超过12%，应该还有机会做的更好。

组件产品规划：标准组件→BIPV→大硅片组件（今年第二期扩产210的半片）→超薄柔性异质结组件（未来厚度100-120μm的量产）

SMBB：传统9BB湿重250mg，12BB搭配高精度丝印达到160mg，搭配丝印和组件端工艺窗口的匹配，改善串焊拉力，还有很多改善空间，极限做到140mg，还可以搭配银包铜。（我们认为电池和组件是要一起来做的，过去异质结电池工艺比较成熟，组件端摸索还不够，通过我们这段时间的摸索，我们认为组件端能够为电池端在工艺窗口放出空间来）

银包铜初步市场结果：高宽比待优化，效率略下降0.13%（主要来自Isc和FF），但是组件端的CTM却可以上升，所以最终有可能银包铜做到组件效率无下降。Voc基本持平。初步可靠性测试数据显示衰减特性和常规组件相同，3x IEC情况下衰减特性和常规组件是一样的。最近我们正在做更长寿命的可靠性测试，计划做到5~6x IEC，搭配户外测试结果，原来计划在明年把银包铜量产，但根据目前进展，预计Q4银包铜组件出货并拿到认证。

硅片吸杂：异质结因为钝化效果的需求，对硅料和硅片要求较高，造成硅成本较高。现在我们尝试吸杂工艺，硅片吸杂后，效率最高点与不吸杂差不多，好硅片不用吸杂，但是差硅片的吸杂效果非常明显，吸杂后整体数据收敛性大幅上升，平均效率提高0.2ppt。未来吸杂可能是标准工艺，未来可能大幅降低硅料和硅片的要求，也会大幅降低硅片的成本。

开场白：我2019.6.5日第一次到宣城参加专家认证会，华晟7月份注册公司，短短10个月，华晟从一张白纸到现在的规模，很钦佩华晟的团队。回顾一下，估计去年异质结真正投产的规模是200~300MW，但投资规模很大，产出/投资的这个比例很低，今年我认为整个大陆出的HJT不会超过500MW产量，但建设的很多，投资很大规模。所以今天给大家介绍一下新形势下晶硅电池发展趋势，仅代表个人观点。

光伏产业链的变革：1）近几年大硅片，当前趋势是减薄；2）电池的未来是双面电池，双面率来看，估计HJT是最高的。PERC 双面率大概是65~70%，TOPCon 80%，未来目标是85%，异质结90-93%，最高可达95%；3）异质结目前高密度组件有挑战，目前是切半+直接封装，解决切片损失问题；叠瓦在慢慢冷下来，用于异质结很有挑战，切割损失较大；4）智能逆变器、高耐压组件，以及智能跟踪器仍被国外垄断，全球前十都不是中国企业。

行业形势：行业热情不减，PERC已250GW；垂直一体化重现5年前景象；产业链涨价，硅料一发不可收，大大延缓计划电站的建设；行业技术革新加快，硅料（颗粒硅）、硅片（大而薄）、电池（HJT、TOPCon）、人工智能制造系统等。

与新三板公司上海欧普特合研，通过人工智能实现对2500例曲线自动分类成几十种，识别率达95%，在行业内有比较多应用，其中隆基现扩的组件线20GW以上全部应用这个技术。

PERC的双面技术给Topcon和HJT的发展带来很大的挑战。过去20年电池技术变化不多，仅有从传统铝背场电池到PERC这一个简单的变化。但双面电池技术贡献很大，如果没有PERC的双面技术， TOPCon和HJT新技术的进展不会走的这么艰难。PERC双面如果可以比单面做的还便宜的话（目前市场价还同价），那么PERC的优势会很明显，所以我们认为PERC还有3年性价比好的时期，个人认为Topcon和HJT要赶超，挑战还是非常大的。

我们认为PERC双面率最高达到78.7%，也就是说量产中做到75%以上的双面率是非常困难的，需要通过背面抛光的变化，还要牺牲部分正面的效率，因此PERC的双面率极限值应该是75%以下。

理论上，PERC的极限：2020年发表的文章，以PERC 23.2%的效率为起点（这其实也是当前领先水平），如果把TOPCon的接触钝化的优势全部加上，p型PERC也只能做到23.9%，也就是量产效率极限水平约23.5%。受制的因素如右下饼图，包括p型硅片的质量问题、磷发射极问题等，这些都是效率损失的原因。很多公司把PERC的量产效率定在24%，那这个是很有挑战的，也要考虑性价比是否值得。23.5%应该是行业内PERC平均效率的未来主流水平。

高效电池中一定要实现载流子的选择性，即使得只允许一种载流子自由地通过界面，而阻隔另外一种载流子，只有如此才能实现电池效益最大化。

选择性通过载流子这个思路是贯穿始终的。传统铝背场和PERC都采用第一个方案，即重掺杂方案，但是重掺杂方案不可避免地存在极限效率，主要由于存在一系列复合，包括Shockley-Read-Hall等间接复合、自由载流子复合等。

最好的方法是方案三，通过功函数的匹配（能带的匹配工程）使得效益最大化。右图是开路电压的比较，传统PERC做到700mV开压是非常困难的，TOPCon做到~710mV，异质结可以做到740-750mV（华晟最高748mV，这是仅次于750mV的记录）。

TOPCon概念很早有，重新提出是在2013年，指对单种电子的选择性技术，现在实验室最高效率25.7%。TOPCon最大特色是可以承受与PERC相同的高温工艺，也就是与PERC是兼容的，具有比较好的产业化前景。

在实验室可以做右下角的很多种材料的探索，目前为止最有产业化前途的是氧化硅和多晶硅。

我们有很多种技术来进行薄膜沉积，目前TOPCon最常用的薄膜沉积技术，也是产业化最成熟，性价比最高的是LPCVD。但LPCVD有两个问题：绕镀问题和容易破裂的问题。今年和去年底开始，当前行业内很多企业也在从事PECVD、PELD和PVD的量产探索工作，这是未来推动Topcon技术量产化很好的地方。这几种技术各有优劣，目前唯一量产的还是LPCVD。

晶科和天合在TOPCon效率上破了世界纪录，但真正TOPCon规模化量产我国去年不到3GW，主要是中来2GW，晶科几百MW。虽然实验室记录24.9%，但产线上24.0%都非常困难，与电子的选择性传输有关系，HJT在效率上还是有很大的优势。

异质结是对电子和空穴的全面接触钝化，应该说是载流子选择性传输的最完美结构，做钝化是武装到牙齿。做的最早的是三洋，他们做到24.7%，但现在基本上放弃了。但是HJT技术未来目标做到25.5%是非常有希望的。

HJT结构是完美的吗？虽然异质结钝化效果很好，但是前表面的寄生吸收还是非常强的，所以晓华总刚刚提到用微晶硅替代非晶硅，周总提到用下转换技术等。这些都是很好的方向，但关键是要量产。微晶硅的大产能应用还需要很多工作。

异质结双面率可达95%左右，Voc做到735mV以上很容易，最高开压达到750mV。欧美企业除了HJT，其他都不做了，他们认为HJT又高效、工序又简单，主要代表是美耶博格和REC。这个结构，效率24%以上的水平很容易做到，关键是良率和成本。

TOPCon最大好处是与PERC兼容（中国有100GW PERC产线有升级机会，很多都是刚投入或者还没正式投入的，所以我们认为PERC还有3年的饭要吃）；Topcon国产化装备也有竞争力，原来10Plus、Semicon基本在中国没有机会，国内出现很多做TOPCon装备的公司。最大缺点是只是电子的选择性，对空穴没有选择性，因此在同等难度下，量产效率应该比不上异质结，而且高温工艺，能耗高，薄片化不利，高温工艺很难到160μm以下，最低也是170μm。

初创公司选择HJT的多，毕竟没有太大包袱。HJT最大的障碍是设备投资偏高，以及各种辅料的配套还需要发展。但是后续发展空间大，而且是低温工艺。HJT后续还可叠加IBC，这也是晶硅电池世界纪录的结构，未来可以迈向26~27%的量产技术。

更看好叠层电池。晶硅电池理论极限效率29.4%，实验室或大面积硅片做到26.7%的效率；钙钛矿太阳电池理论极限效率31%，实验室小面积做到25.5-25.6%，差距不大；两端叠层电池理论极限效率43%，可以想象未来量产效率30%是完全可以实现的，空间巨大。这也是为什么欧洲公司押宝异质结。

Topcon能否做叠层？工艺太复杂了。也有人说TOPCon也可以做叠层，甚至PERC也能做叠层，这里的关键问题是HJT工艺步骤简单，同时共有TCO层，已经具备了叠层电池的基础，而TOPCon和PERC要做传输层，本身工艺问题很多，工艺步骤很长，没有性价比优势。Topcon+钙钛矿这个方向，工艺太复杂了。

牛津光伏2020年年底宣布250MW叠层电池产线建设，但是进展很慢，看不到任何产品。叠层电池产业化成熟一定是5年以后，借助于异质结的成熟才可以投产。

薄片化：晶硅电池从70年代的500μm到目前的160-180μm，但这个水平已经停留了至少15年的时间，这段时间薄片化没有进展。曾经达到过150~160μm，反而由于弯曲、碎片等高温工艺的问题，退步到了180μm。PERC为主流的技术大大阻碍了薄片化进程，TOPCon也有同样的问题。硅片厂对薄片化更为迫切，一方面受制于硅料涨价，一方面通过减薄反而使毛利率增加1.2ppt，从34%+提高到36%+。

异质结薄片化有天然的好处。根据梅耶博格，180μm到100μm效率无损失，且目前量产的异质结都是背面结，因为从原理上说正面结良率比较低，量产不现实，而薄片化是有利于背面电池的，这是因为薄片对少子的扩散长度的要求有所降低，可以降低硅片的高质量要求。

不必担心硅片太薄后不够吸收太阳光的问题：将硅片减薄到30μm，通过简单的纳米级绒面处理，从实验和理论上证明即能够吸收全部太阳光，对应Jsc高达39.84。

减薄后的开路电压：10年前就有研究结果，从100μm减薄到20μm，根据理论计算，只要表面钝化做的非常好，开压是可以不降反升的。红点是实验结果，从100μm减薄到50μm，开压反而提升。

可见薄片化对于异质结，不管是在制造端还是效率端，都没有问题。松下最高效率24.7%的异质结电池也是基于98μm的硅片。预计再过2-3年的发展，达到110-120μm没有问题。50~80μm是电池效率的最高点。

柔性化：硅片薄到100μm以下，反而像一张纸一样不容易碎了。

HJT的几个制约因素目前仍存在。比如设备价格偏高，4.5亿元/GW左右，预计2023年小于3亿元/GW（PERC是1.5~2亿，Topcon是2~2.5亿）

HJT的占比：实际产量的市场份额来看，预计2021年能够做到1%就比较了不起，关键时期是明年到后年，看能否配合设备投资下降和辅料的成熟，占到5%。2024年以后希望做到25%以上份额。

IBC结构最早由斯坦福教授提出，很早效率就做到25%，保持很多年晶体硅的最高效率。

要在背面做p型区和n型区的分区，需要用到光刻、印刷、激光辅助、选择扩散，成本和难度很高。

扩散的距离把握不容易，过去通常控制在1毫米，造成扩散的间距远远大于硅片的厚度，因此对硅片的要求也更高。

这样扭曲的结构竟然是更好的模式，这样的效率在当时单晶硅电池相比，带来的争议远远不是消除栅线遮蔽所能估计的，好处是来自结构。

HJT结构：结构很简单，真正的实质是材料，发现了非晶硅这样一种材料。这样的材料的应用不限于HIT电池。

IBC的结构是个很漂亮的结构，这个结构在扩散同质结也可以使用。HBC/IBH基本就是把IBC的结构移植过来，把扩散的分区用沉积生长的掺杂薄膜代替。

示意图不准，p和n之间还是要有间隔，但很幸运地，现在也不用扩散工艺，而是用沉积生长，用光刻等技术很容易控制到30-50μm。把新材料移植到HBC可行吗，实验证明HBC概念可行。2017年已经实现了26.63%的HBC电池效率。

点接触IBC：点接触结构在聚光电池上获得了27.5%的效率。点接触不做成叉指型扩散分区，只是一个一个点，用电极材料连成叉指。这样的结构需要在点接触的地方局部用银，然后用铜焊带或者焊丝。目前可以把焊丝做的很细、对的很准，点接触结构的实现更有希望。

IBH工艺设想：使用金属掩膜，成本更高、难度更大，但值得一试，都是几个微米级的机械精度，现行技术能够实现。

异质结硅片需要低成本（NP同价）、稳定高效、半片大片薄片。

退火吸杂是降低硅成本的重要手段。初期建议每个做HJT电池的公司都做退火吸杂这道工序，做了后对硅片的要求下降了。以前异质结电池对硅片的要求是近乎苛刻的，特别是对里面金属的要求。以下是量产数据，可以看到没有退火吸杂，分布是很宽的，退火后分布很窄。

从一棒到六棒的实验数据，不吸杂的话，从一棒到六棒效率是下降的，吸杂后效率都相近。一棒二棒基本不需要吸杂，三棒四棒可吸可不吸，五棒六棒必须要吸杂。这个实验只做到六棒，相信七棒八棒也会有很好的效果，特别是随着异质结硅片越来越薄，吸杂的效果会越来越好。

切损：目前无损切割至少有0.3的损失，如果用普通红外至少0.4-0.5。所以如果把电池切割从电池端前置到硅片端，可以减少切损。当然，在做异质结电池时存在边缘效应，但估计损失在0.1-0.15之间，相比于切损肯定是赚的。

微裂纹：电池端对薄片化敞开大门，但组件端和硅片端对薄片化不利，如何通过半片电池解决组件和硅片的问题？通常用OLED激光切割出来的手机屏幕周边存在500nm-1000nm的微裂纹，通常手机厂商会磨掉约2μm的一圈，但是硅片不可能磨，所以如果在硅片端就切半，在清洗制绒的时候，就可以消除掉微裂纹，消除微裂纹后薄片在组件端的碎片率就会降低很多很多。

从硅片半片化到硅棒半片化：终极解决办法是硅棒半片，目前210硅片的切片良率很低，170-175μm的良率大多不及90%，但如果在硅棒就切半，厚度只有105mm，比156硅片在厚度上还要薄，很多切片的问题就不存在，包括线横、跳线、厚薄不均等。当然有硅料损失，我们分析大概是2mm的硅，约1%，但是良率损失加上确保20-40μm下降，收益是巨大的。此外，硅棒产能损失也不大，现在的分片机每60分钟切片有15分钟的装夹，实际上切片时间没有延长一倍，而是变成了两个30分钟，只是装夹时间加倍，相当于产能损失20%，但是最贵的金刚线是没有损失的，所以制造费用增加非常少，而薄片的均匀度和良率大大增长。

当所有电池端都变成半片后，边皮就可以利用起来，可增加30%的出料率。第二个好处是复投料变少了，复投料通常需要较高成本，包括筛选清洗金属等，对降本起到较大作用。

高精度硅片：目前硅片公差±0.25mm，未来希望做到±0.15mm甚至±0.1mm。对于PERC组件来说，可带来组件排版时损失下降，提高组件功率。对于异质结来说，还可以减少PVD掩膜的宽度，有0.15ppt的效率增益，如果做到±0.1mm甚至能做到0.2ppt的效率增益。

异质结时代对硅片的要求与PERC时代完全不同，可惜现在由于规模太小，没有一家专门为异质结生产硅片的厂家。然而，通过退火吸杂可以降低0.2-0.3元/W的硅成本下降，通过半棒的硅片切薄20-30μm，又可带来几毛钱的成本差异，边皮切割再贡献一毛多的收益，再通过边缘的精磨可以贡献0.15-0.2ppt的效率，因此如果专门为异质结打造硅片，可以使得异质结在硅片上的成本比PERC便宜20%。

为什么很喜欢HJT？到现在为止， PERC现在是每W 0.5元硅成本，0.1元银浆成本，其他成本0.1元（0.02设备折旧，0.02人工，0.03电费，其他水费特气），总共0.7元的成本。为什么喜欢HJT，因为现在没有看到任何一个技术可以省这么多的硅和银（SMBB+银包铜），要重点去降硅和浆料成本，其他地方降无可降了（当然HJT还可以降低人工和电费）。另外，TCO上我们还有突破，现在大家预测0.04元/W的TCO成本，我们希望做到0.025元/W。要做到：省硅、省银、省铟、省电、省钱。

公司开发PECVD设备超过8年，拥有完整的异质结电池片中试线，客户10家，验收7家，获得1.5GW PECVD订单，已交付1.15GW。计划2022年登陆科创板。研发部门在上海，生产基地在泰兴，泰兴基地具有年产15GW的年量产设备能力。另外有年产能25GW的生产场地规划。

从2012年开始，从单腔试验设备，到多腔，到形成量产的设备，到现在双层的叠层设备，经历了8年时间，形成了稳定、重复可靠的工序。

PECVD在一家客户稳定运行2年，量产平均效率24.5%，最高效率25.18%，产能达到合同产能95%。均匀性、碎片率等指标远远超过合同指标。碎片率达到0.06%，最近了解可达到0.04%。

另外一家客户用公司设备做210半片电池片，组件最高功率达到606.656W。

设备介绍：右图是公司设备的基本反应腔模式，为双真空反应腔。外腔提供真空环境，内腔是做工艺的环境，这种特殊的设计有诸多好处：1）内腔特别小，可节约工艺气体，仅为普通反应腔的1/8；2）只有内腔接触工艺气体和等离子体，不需要用RPS清洗，可以用原位清洗，利用原本的射频系统和给气系统在反应腔里做清洗，有助于降低设备损耗；3）整个托盘放在内腔下板，通过传导加热而非辐射加热，温度均匀性好，也可节省加热能量。

半透明区域是外腔，高亮区域是内腔。这是第一代设备：只有一个工艺反应腔。

这是内腔放大图。通过内腔的向上堆叠，可以在不提高占地面积的情况下，提高产能。未来可以堆三层五层更多层，具有可拓展性，可以降本。在华晟用的OG2.5代，实现了两个反应腔的设计。

内腔是独立结构，可以放在实验机台和生产机台，对工艺不会有影响，上午开发成功，下午就可以投产。

射频频率的选择：基本频率是13.56MHz，用40.68MHz有两个好处。左图等离子体自偏压越大，等离子体加速打在硅片上的能量就越大。13兆的自偏压是-12至-14V，40兆的自偏压仅为-2至-4V，意味着离子损伤越低；右图同样射频频率下40兆产生的等离子体密度比13兆的更高，说明沉积速率更高，对于生产来说，工艺速度更快。

但是，40兆的设计难度更高。因为射频频率越高，驻波效应、边缘效应，以及电流趋向旁边分布的效应更显著，导致整批电池中间的沉积厚度和旁边的沉积厚度不一样，需要有特殊的腔体结构来克服，使得从左到右，从中间到旁边的分布都是均匀的。公司有相应的设计，并且40兆的腔体已经在客户端得到了验证，之前25.18%的效率就是在这样的腔体得到的。但业界对40兆还是有很多争论。

在客户量产线上对比，IN-IP较I-IN-P效率绝对值高0.1-0.2ppt。IN-IP在电流、填充因子略有优势，有可能是因为IN-IP只破空一次、上下片一次，I-IN-P需要做两次，在CVD环节制绒面是非常脆弱的，要尽量减少自动化的损害，因此多一次破空和上下片会对填充因子有可见影响。此外，要承认I-IN-P在Voc上有优势，业界通常认为是因为这种方式提前将两面的钝化层都已经做好，对电池进行了一次保护。

总体IN-IP占优，但不同设备有不同特点，可能适用于不同流程。我们的设备IN-IP占优。

2.5代设备在M6上年产能可达268MW的产能，在182半片和210半片上也可达260MW以上，对其他尺寸也都在250MW左右。

公司正在研发、即将在8月推出的PVD样机，设计年产能250MW。采用模块化设计，未来可通过加模块来提升产能。对阴极的特别设计可使靶材利用率达到非常高的水平。会在24.5%量产效率的客户端进行验证，最后推向市场。

通过多层堆叠增加产能，兼容大硅片尺寸；载板在工艺过程中静态放在腔体里，粉尘控制最低；精准快速的温度控制。

公司是日本京都电子在中国的代理，负责低温银浆在HIT市场的营销和推广。京都Elex卖到国内的银浆全都是走出口的方式。考虑到国内企业对于银浆降本的需求，公司预计下半年在苏州建立第二个工厂，目前国产化工厂名字已经落实。

公司没有高温浆料研发，全都精力都集中在低温，研发人员20多名，相比很多国内浆料3-4人的研发团队规模，公司研发队伍非常强大。

公司在低温浆料有这样的市占率离不开母公司的支持，主要的原料是银粉和有机树脂。银粉依托日本最大的银粉供应商DOWA，有机树脂依托日本第一工业。

经过20年的发展，公司导电浆料产品的电阻有很大程度的降低，从20降到目前的<5。主要方式，一是积极研究密集填充颗粒配方，二是银粉形状上，球状银粉在适印性上比较好，而片状银粉电阻率低，可靠性好，公司的配方综合考虑，研发出适合客户要求的银粉。三是在低温烧结颗粒设计上做了改进，生产出的浆料性能提升。最近在与母公司共同研发新型银粉，日本方面非常相信新型银粉能够给HIT市场带来更多性能的提升，目前国内其他银浆供应商在渠道上很难获取到。

1、2017之前：主要是基于4BB和5BB做的比较多，第一代浆料体电阻在5~6，主要有244、245等型号，L-359通用型号在稳定性上获得认可

2、2017~2019：主要推广103主栅和116细栅，配合客户往9BB方向发展，103拉力提升和116细栅电阻率下降，很好满足客户要求。116细栅突出特点是把359的体电阻从5~6下降到4.5~5.5，满足市场普遍需求。

3、从2020年开始：客户MBB有更高的要求，着重推出三个型号：主栅104、细栅132，适用于双面印刷，132相较于116的体电阻在4.5~5.5的基础上又下降到4~5。131型号匹配单面印刷，为通用型浆料。第三代的印刷速度有明显提升，359是100~150mm/s，第三代是200mm/s以上的速度。

4、第四代：第四代着重推进主栅108和细栅Q-142。主栅108可以在9BB~12BB基础上把拉力大幅提升到3牛顿以上，Q-142具备更高、更窄印刷性能的设计。

第三代132细栅浆料：左图是模拟测试在25、28、30μm开口下比较132型号和116型号的线电阻情况，得到结论是132具备低体电阻和线电阻，好处就是银浆使用量下降，电池效率提高。右图是132和116在250mm/s印刷速度下ML值和Rline情况，132比116性能更好。为了保证良好的印刷性，在防止断线方面也进行研究和改善。

银铜浆料：日本开发银铜浆料情况。日本开发银铜浆料3年多了。做银铜浆料的考虑在于之前跟客户做了大量探讨，获取灵感和启发，认为银铜浆料开发具备一定可行性，在于：

从银铜浆料在终端市场使用反馈来看，通过附着力测试、户外暴晒测试、PH测试，B-103显示较好抗环境能力。第二代银铜浆料的银含量在58~62%，第一代B-101也是这个水平，但是技术难点未完全解决，B-103上做了很大改进，体电阻在6~8的水平。

根据左下角柱形图，B-103电池效率与L-359一样的水平，与116和132的对比还需要数据搜集。B-103比L-359的银含量低了30%的水平。

第三代浆料和第二代银铜浆料的IV测试结果：Q-132相比于116更高的Isc和FF，且银浆使用量更低。

即将在5~6月份推出的第四代浆料：Q-142与132进行对比，印刷稳定性好于116产品。142线型比132更窄，142开口可以达到20μm或者更低。142可以把线印的更窄、更高，短路电流增加更明显。

第四代主栅R-108，在第二代103和第三代104基础上拉力上做了比较大的提升。在使用锡铋铅焊带的情况下，R-104比R-103提升50%，R-108比R-104提升30%。用锡铅焊带可以看到R-108比R-104拉力提升30%。

右边四个图形分别是固化温度、固化时间、PAD尺寸和厚度。R-108可以让PAD更小更薄一点，对应效果是银使用量更低，另外可以响应未来硅片越来越大对效率要求越来越高的情况。

第四代银铜浆料，在B-103基础上又进行推出B-105，B-103银含量已经从89~94%下降到58~62%，而B-105银含量在42~46%。以116的银使用量是100为基准，132达到90水平，B-103达到80水平，预计B-105可以达到60的水平。B-105在电阻率上保持跟B-103一样的水平，但是银含量更低。

第三代重点推荐Q-132和B-103

第四代重点推荐Q-142、R-108、B-105

1、在纳米银颗粒的设计上，增大银粉在金字塔底部的填充，获得更好的接触；

2、浆料提高电导率，降低RS；

3、浆料塑性与高宽比做到更好水平；

4、降本要求很高，努力实现效率改变不多的情况下，大幅降低银含量，并且要满足更高印刷速度的需求，目前是200~250mm/s的印刷速度，未来要高达到300~350mm/s。

已经在苏州高新区进行选址和工商登记和环评，由于疫情影响，推迟国产化到Q4，计划4月成立公司，7月开始施工，11~12月开始向终端客户提供国产浆料。

A1（王文静老师）：首先澄清理论效率：TOPCon理论效率28.7%，异质结理论效率27.5%，因此企业可能认为发展TOPCon是很好的。但是德国ISHF实验室发表的论文，双面都做TOPCon的理论效率才是28.7%，单面有一种情况只能达到24.9%，另一种比较复杂的单面结构达到27%左右。所以理论上要先澄清这个事。

第二，异质结和钙钛矿叠层是天然的，而PERC和钙钛矿叠层要单独加一层ITO，或者加p+/n+隧道结，这个难度不亚于做一层非晶硅掺杂层。

相比之下，异质结已经有了很明确的现实技术，以及未来提升到效率25%的技术路线。但是TOPCon还看不到现实成熟的技术，未来达到25%也看不出清晰技术路线。因此还是异质结还有短期、中期和长期竞争性。

A2：中午参观车间的时候，有人问异质结成本对标TOPCon是什么情况，回答是无法对标，只能对标PERC。PERC的目标是0.7元/W，异质结现在是0.95~1元/W之间，即成本相差0.2元/W，在直接产品销售上也对应0.2元/W的溢价。但是谈到TOPCon只提到效率做到多少，并没有成本与PERC的对标，因此无法比较。

A3：某Topcon产线数据，PERC非硅成本大概0.2元/W，异质结0.4元/W甚至以上，TOPCon是0.28~0.3元/W，因此异质结较TOPCon溢价是0.1元/W。总体还是差不多。

A1（周浪院长）：从现有技术和工艺的延伸看，到26%是可能的。当前阶段异质结技术可以细分为结构技术、材料技术、材料加结构技术。我认为点接触IBC结构是最正确的，尽管看起来不符合直观，但是事实证明IBC的效率可以更高。栅线遮蔽影响仅在3%~4%，即对于20%的电池，仅提高0.6ppt、0.7ppt的转换效率，这样怎么也到不了25%。因此未来需要更关注如何发挥结构上的优势，目前难就难在如何去实现。HBC可达到26.63%，我认为未来可以在这基础上再增加0.5-1ppt，达到27%+。

1）研发方面：叠层电池不仅在学术界热门，欧洲很多机构都能做到27%以上，最高达29.5%。央企想要弯道超车领先，因此将研究院建设定位在叠层电池，从去年就已经开始布局了，国内也启动了一些重点研发计划，叠层电池是方向已成为全社会的共识。我国晶硅电池量产技术远远领先全球，但是叠层电池落后国外，国内最高效率25%都达不到，但是好在我国重视起来了，希望能够短时间内赶上。

2）产业化方面：牛津光伏就在做这个事情，与梅耶博格通过股份互换的方式进行合作，牛津光伏擅长做钙钛矿电池，梅耶博格专长是提供相关的异质结装备，因此二者合作，原计划今年一季度推出产品，但是目前还没消息，可见叠层电池不是一件容易的事情。国内也有一些公司在展会展出产品，但是仍无法量产。现在做异质结正当时，保守来讲，异质结最好的时间是今年下半年或者明年。设备投资额今年年底必须达到4.5亿元/GW以内，明年达到3亿元/GW。PERC产能很大，性价比也很好，因此异质结必须放下身段，否则会雷声大雨点小，叠层电池更是这样。现在可以慢慢做一些研发储备，但是真正产业化来讲，光伏行业第一个吃螃蟹没有太多优势。后发优势比较明显。此外，技术创新给装备公司带来很好的机会。未来5~7年叠层电池产业化还是有机会的。

A1（晓华总）：到了异质结认为是先发优势。1）设备投资方面，2017~2018年在汉能的时候，11亿元/GW，4Q21预计4亿元/GW，还有空间到3亿元/GW，设备国产化这一关已经过了，降成本的主要工作已经完成。2）产能方面，原来是60MW的单线，现在华晟第一期是250MW的单线，4Q21扩产的是500MW的单线，不论是迈为还是理想能源都有500MW单线，210是7200 pcs/h，单片是14400 pcs/h。从产能上来看已经大于PERC了。3）硅片方面，210尺寸占主要地位估计在几年之内不会有变化。4）原材料方面，银浆国产化，国内银浆和银包铜，原料供应国产化基本完成。5）工艺方面，得益于多年对非晶硅薄膜、PVD薄膜和异质结工艺的认识，量产效率过24%不是门槛，预计华晟今年能做到24.3~24.5%的量产效率。

总之，异质结产业到今天为止已接近成熟爆发的临界点，异质结是个颠覆性的技术，从硅片到组件全都需要颠覆性做法，此时如果跟跑很可能会被淘汰。所以我们认为异质结是先发优势。

A1（周剑总）：做设备的，希望设备能够快速降价，但是并不意味利润减少，而是成本下降。在这个方面迈为做出很多努力，公司是国内第一家推出6亿元/GW以下的（通威那条是5.6亿），现在是4.5~5元/GW，有希望冲4亿元/GW，降本速度很快，但是无法与PERC相比，毕竟是板式设备，不像管式可以密集放很多电池片，最终成本HIT肯定高于PERC。

现在离刚刚说的年底目标还差1亿元/GW，算到折旧是0.01元/W。从设备商来说，必须要做到先发优势，大家才愿意买你的设备，后发的话大家都观望。迈为2019年推出250MW产线，2020年推出400MW，2021年500MW以上，保持一年一代的速度。因为有PERC的压力，PERC是450MW~480MV，因此要尽可能推出更大产能的产线，但是越来越大、越来越长也不是很好，占据空间变大，厚度均匀性不好，估计到600MW就差不多了，而且也能达到产业中先发优势的要求。

其实真正要解决的不是电池端的量产装备，电池量产装备走的水平要比其他方面来的快。花一两年的时间去降低0.01元/W是不划算的。其实真正要解决的是组件端，如何做出更适合异质结的组件，降低银浆成本；以及如何让硅片更薄，如何做合适的硅片端设备，让半棒生产全自动化，包括高精度磨床，以及适合半棒的磨床，还有边皮切割的设备（现在刚开始），都需要硅片的设备商努力。因此主要还是打通组件设备和硅片设备，这样异质结才会全都打通。异质结除了硅料没颠覆，其他都会颠覆。

预计电池成本异质结可以比PERC便宜0.1元/W以上，期待通过产业链努力，明年实现与PERC平价，后年实现异质结比PERC便宜0.1元/W，最终差价超过0.1元/W。具体来看，薄片化省20%，浆料成本省30%，人工和电费成本省0.02元/W，效率增益对应省0.05元/W，唯一差的是的铟，努力下降0.025元/W，以及设备贵0.02元/W。如果电池便宜0.1元/W，组件就可以便宜0.16~0.17元/W，同时功率高7~8%。

A1（晓华总）：这次采购的生产线都是业内最好的生产线，同时也建了一条业内最好的研发线，此外210电池、钙钛矿等demo设备都会陆续进入，接下来还有超薄硅片，所有东西都会力求在华晟上去做，现在主要缺少两个方向的支持：

一是硅片，公司也在跟一些硅片厂沟通，包括半片需求、超薄需求、做吸杂处理等要求，传统硅片厂商通常不支持，因为他们觉得与现有业务不匹配，这个量太小。所以公司希望传统硅片大厂配合，如果不配合就去找二线、三线厂商，没有配合的就自己生产研发。

二是银浆，很高兴看到国内企业不断增加低温银浆与银包铜的布局，目前对银浆的担忧减少了。

此外，在销售端，国内一些客户对异质结组件还在观望过程，但已经逐渐破冰，广电、国电、华能等五大四小电站，预计公司今年都能进入，签订示范性订单。当然，今年总体还是以出口为主，国内仅做规模性的示范电站，但是只要今年数据出来，就能看到异质结的优势。公司认为明后年，国内各电站用户应该非常愿意购买一些产品。

A1（周浪）：钙钛矿叠层难度很大，甚至不在于成本，从成本的角度现代产线只要多几个腔体，多印几层膜就可以做到，但是钙钛矿本身的大面积就是一个问题。因此个人认为IBH会在前面。

A2（沈老师）：从物理概念上讲，HBC还是单节电池，理论效率接近29.4%，个人认为量产效率能做到26.5%已经是极限。而叠层电池是可以突破Shockley-Queisser极限的，可以做到43%，具有很大空间。往前看10年，太阳电池肯定要突破29%的效率，从这一点来讲叠层电池更前瞻，哪怕现在只能做到26~27%，后续空间很大。至于为什么HBC这几年冷下来的原因，一方面是难度大成本高，没有经济性；另一方面市场认为这种技术是类似TOPCon的过渡技术而非终结技术，而市场和行业需要终结技术。资本市场认为异质结是晶硅电池的终结技术，又是下一代高效叠层电池的起始技术，从这一点来讲，如果瞄准10年后发展，肯定是走叠层电池这条路。异质结上叠层钙钛矿现在最起码是两层，未来还可能是三叠层，另外在组件中也有很多方案，不一定做两端，还可以做三端、四端的。因此，钙钛矿迟早会产业化。

A3：从实操角度讲，想要做产业化，一定要设备商和工艺一起推动，仅有电池厂是不行的。钙钛矿有大面积和长期稳定性这两个巨大的难题需要解决，从电池来看都要经过20~30年的发展，钙钛矿目前才8~10年，还太年轻。

A4：谈一点不一样的看法，HBC和钙钛矿叠层是不是升级产品，我的观点不一定是这样。第一，从正面效率来说，正面效率每年涨0.5%，现在是25.5%看得到的，HBC的话26.5~27%基本到头，但是考虑双面率说不定HIT的发电效率还比HBC更高。但是，HBC并非想象中那么难做，成本也不一定有那么高，因为PVD仅需一半，背面增加激光划线、化学修复等设备，可能设备也不会更贵到哪去。因此HBC只要成本能下降，在特定的应用场合，比如单面发电非常重要的时候，是一个很好的产品。至于叠层，叠层的方式一种是串联叠层，大家看到的是实验室环境下的效率，但是外面的天气在变，光谱和光照都一直在变；二是并联叠层（机械叠层），效率可能高5ppt，但是需要一个钙钛矿电池加一个硅电池，性价比是否合算？而且钙钛矿的寿命问题也很艰巨，两个电池绑在一块，一个失效了另一个也没意义了。因此个人观点是，叠层是有可能的替代产品，HIT和HBC很可能是并行的产品。

A1：最近产业里想做HJT量产的朋友有很多，有各种类型公司，有体外大鳄、初创企业，也有老牌公司，热度比去年高很多，维持今年有10GW订单落地的预判。

A1：粗略判断明年落地超过20GW，有可能冲击30GW。