第一阶段目标:建立8英寸芯片生产线,进一步研发更大直径的独立芯片。提升大功率电力半导体器件的研发水平、更新和强化现有硅功率器件生产线的规模、生产能力和扩大硅功率器件的产品种类和功率,研发8英寸功率器件,额定电流达到或超过8000A,为直流输电工程的不断提升提供有力的支持。 第二阶段目标:研发SiC器件及模块,建立SiC器件实验中心,在第一阶段成果的基础上形成小批量生产SiC器件的能力,为实现SiC器件产业化奠定基础
公司产品拥有自主知识产权,多项技术达到国际领先水平。尤其是自行研制和生产的世界最高等级的电控和光控晶闸管,在我国数十条超高压和特高压直流输电工程上成功应用和可靠运行,完全实现了进口替代。公司将通过首次公开发行股票募集资金建立具有小批量一定中试能力的碳化硅基器件研发实验中心,以满足新产品的研发和中试供应市场。