周期拐点将至叠加AI需求催化，关注存储赛道投资机会　

存储是数字经济发展的基石，作为典型的周期成长行业，我们认为存储正处于新一轮成长的黎明期：

1）周期方面，经过2021年末起7个季度的下行期后，当前存储产品价格已呈现筑底态势，叠加存储原厂减产、下游库存水位持续修正，我们认为目前行业已处于周期底部，下半年需求有望逐步回暖；

2）创新方面，AI高速发展推动HBM为代表的高性能存储器需求快速增长，我们测算HBM市场24年将达64亿美金，AI有望开启存储成长新篇章；

3）中美摩擦背景下，中国企业级存储市场国产化需求迫切，信创市场国产厂商大有可为。我们建议关注国产存储模组、封测以及配套芯片厂商的投资机遇。　

周期：筑底信号显著，AI驱动单机密度提升，23年下半年起有望逐步回暖　

供给端，原厂稼动率与资本开支大幅缩减，我们预计下半年开始减产效果将更加显著，预计23/24年DRAM与NAND bit供给增速分别为4.6%/8.0%与6.7%/14.8%。需求端，23年各终端整体疲软态势持续，24年有望在手机终端需求复苏、手机与服务器单机密度持续提升下带动整体需求回暖，我们预计23/24年DRAM与NAND bit需求增速分别为8.1%/14.4%与9.6%/20.0%。存储价格也已筑底，CFM报价显示部分品类价格已出现上涨，存储周期拐点将近，下半年市场回暖有望开启新一轮上行。我们预计24年全球存储市场规模将同比增长38%（2023E：-42%）至1105亿美元。　

创新：AI催化HBM需求快速增长，为服务器市场带来增量空间　

AI带动的算力需求快速增长需要存储芯片进行容量与带宽上的配套， GDDR方案带宽迭代速度已难以满足，而带宽更高的HBM方案有望加速增长，我们预计HBM将在24/25年后成为市场主流。受AI服务器销量增长、单服务器HBM容量提升驱动，我们测算HBM市场规模将从22年的15亿美金增长至24年的64亿美金，对应107%的22-24 CAGR；AI服务器存储市场规模将从22年的106亿美金增长至24年的151亿美金，对应19%的22-24 CAGR。目前海力士已量产HBM3，并率先向英伟达H100供应，三星将于2H23量产HBM3，美光预计24年量产HBM3。　

国产化：存储IDM原厂持续国产化，带动本土产业链成长　

国内存储IDM原厂为长鑫存储与长江存储，两家公司分别在DRAM与NAND技术追赶上进展迅速，长鑫23年DRAM已突破17nm，长江存储NAND布局上推进至232层，逐步向海外主流水平靠近。据IDC数据，长鑫与长存在DRAM与NAND上市占率从2020年的0.3%与1.0%上升至2022年的1.8%与3.5%，我们预计未来国产化水平将继续提升。原厂颗粒国产化将有助于培养本土供应链，为下游模组厂商带来产业集群以及成本上的优势，推进模组厂商的国产替代。国产利基存储厂商也将同步受益，在汽车、工业与物联网设备等长尾领域持续渗透。　

周期反转下，建议关注顺序为模组与封测、配套芯片、利基存储设计

周期反转后景气度将逐步沿产业链向上传导，我们预计23H2或24年周期上行后，模组与封测环节将率先受益，迎来估值倍数与业绩增速提升的戴维斯双击，产业链公司包括：江波龙、佰维存储、朗科科技、德明利等；模组环节库存水平正常化后将拉动配套芯片需求，相关公司包括：澜起科技、国科微、联芸科技（未上市）、得一微（未上市）；利基存储设计环节相关公司包括：兆易创新、北京君正、聚辰股份、东芯股份、普冉股份、恒烁股份。