01
为了减小内存墙的影响，提升内存带宽一直是存储芯片聚焦的关键问题。
存储器数据访问速度跟不上处理器的数据处理速度，数据传输就像处在一个巨大的漏斗之中，不管处理器灌进去多少，存储器都只能“细水长流”。两者之间数据交换通路窄以及由此引发的高能耗两大难题，在存储与运算之间筑起了一道“内存墙”.
有数据显示，处理器和存储器的速度失配以每年50%的速率增加,随着数据的爆炸势增长，内存墙对于计算速度的影响愈发显现。
02
HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案
➢DRAM（功耗大，占用面积大）
➢HBM融合TSV、RDL、Chiplet等先进工艺
HBM 是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片（即 “RAM”），就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。基于这种设计，信息交换的时间将会缩短。这些堆叠的芯片通过称为“中介层 (Interposer)”的超快速互联方式，连接至 CPU 或 GPU。将HBM的堆栈插入到中介层中，放置于 CPU 或 GPU 旁边，然后将组装后的模块连接至电路板。
大容量、高速存储需求增加，HBM扮演重要角色: HBM（高带宽存储器），是超微半导体和SK海力士发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM。
HBM重新调整了内存的功耗效率，能大幅提高数据处理速度，是当下速度最快的DRAM产品，其每瓦带宽比GDDR5高出3倍，且比GDDR5节省了94%的表面积。
目前，HBM主要被安装于GPU、AI加速器、超级计算机、高效能服务器等。随着ChatGPT等应用开启AI新时代，加之相关技术演进，预计全球数据生成、储存、处理量将呈等比级数增长，HBM将扮演更重要的角色。
第三代HBM报价大涨：NVIDIA计算卡供不应求，使得HBM3显存出现了严重短缺的情况，由此导致作为HBM3显存供应商的三星及海力士产品报价不断提升，远超平均报价水准。据财联社消息，2023年开年后三星、SK海力士的HBM订单快速增加，近期HBM3规格DRAM价格上涨约5倍。
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