参考日韩两国的半导体发展历史，存储器产业是后起之秀追赶领先者的关键赛道！3D堆叠技术在NAND及未来DRAM领域的推广，进一步降低了对光刻线宽工艺的技术要求，是国内产业链迎头赶上的重大机会。

行业周期筑底回升——国产设备/存储器工艺突破——3D集成电路技术发扬光大，三大因素，打造半导体追赶海外的黄金赛道：存储器

需求端：手机消费电子迎小旺季，60/PRO+系列手机供不应求，供应链频繁加单，配套产业链有望连带受益。微信聊天、高清晰度摄影、大型app、AI生成产生的数据量快速增长，较早的128g容量终端捉襟见肘，pro+产品512g/1T存储空间，有望成为国产中高端消费电子产品标配，3D NAND需求量有望快速增长。同时手机集中换机周期临近，叠加明星产品推出，存储器下游需求有望明显改善。《韩国经济日报》称三星近期已与小米、oppo等调整报价，DRAM和NAND合同价格上涨10%-20％，四季度高端存储器市场有望较大幅转好，实现量价齐升。

供给端：海外减产幅度大，国内有望恢复扩产

三星宣布9月起扩大nand减产幅度至50%，海力士美光继续保持减产，严控供给，正在推动各渠道库存水位回归至正常水平，价格不断修复，512g wafer合约价格已涨10%，512g颗粒最低价短期涨幅近50%。

市场转暖与配合国产供应链进步，有望推动国内nand厂强势归来[發][發]

国内nand芯片有核心旗舰机适配经验，产线正密集开展国产设备验证，后续新增产能中设备国产化率将显著提升。刻蚀，pecvd沉积，配套封装企业有望较大幅度收益。

投资建议：

制造设备：中微公司、拓荆科技、华海清科、北方华创
材料零件：安集科技、国力股份、鼎龙股份、金宏气体、德邦科技、天承科技、深南电路、兴森科技、正帆科技、方邦股份等

存储芯片与模组配套：江波龙、佰维存储、古鳌科技、兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份、东芯股份、深科技、德明利、