当下各家科技大厂对算力芯片的性价考量已尤其重要，采用通用算力外的计算芯片迫在眉急。厂商通过重新设计架构、定义计算内核从而达到更好的性价比。单个计算核心可能存在较大差异，并不在遵循传统冯诺依曼架构体系（即存储数据需要经过控制单元后在进行计算），此时便引入存算一体概念，从而打破Memory wall。

目前存算一体根据存储种类的不同可分为SRAM-base;eFLASH(NOR)-base;ePRAM-base;MRAM-base等方案。根据计算与存储的位置分为 Near-memory-array computing；Non-local computing；In-array local computing；In-cell local computing；不同的计算位置对于存储单元的内部电路设计也截然不同；目前因为SRAM可集成CMOS工艺中，跑在较前的算力公司都采用SRAM-base,包括dojo、gqoc、IBM等。eFLASH因目前工艺节点为55nm，和当下主流算力节点不匹配，目前产品成熟度相对较低。但eFLASH在结构和电路设计上更加简单，一旦工艺得到进一步突破，未来有望取得进一步发展；PRAM、MRAM目前主要问题也更多来自于工艺。

我们认为未来的大模型时代，数据类处理计算会成为核心，存储与计算直连是必然趋势（即不通过控制单元）。
我们看好存算一体发展，建议关注国内相关概念公司：
SRAM-base类公司：北京君正、成都华微、复旦微电、紫光国微；
eFlash base类公司：恒烁股份、兆易创新；
计算类公司：寒武纪；
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