在新能源车、光伏等市场需求的驱动下，国内碳化硅产业正在快速成长。日前，国内碳化硅衬底龙头天岳先进（688234.SH）披露近14亿元的订单合同引爆了国内碳化硅市场。

国内某碳化硅行业资深人士在接受记者采访时表示，基于其优良的半导体性能，碳化硅材料在包括新能源汽车、光伏、储能以及5G、国防军工等领域的应用非常广阔，同时随着成本和价格的下降，今后碳化硅材料的应用有望加速发展。此次天岳先进的巨额订单或仅是碳化硅行业繁荣的起点。

半导体芯片中，碳化硅的主要形式是作为衬底材料，而按照电学性能的不同，碳化硅衬底又可分为半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底两类。

其中，导电型碳化硅衬底在近年被新能源汽车、光伏发电等领域的广泛应用是行业增长的重要原因之一。

在新能源汽车中，碳化硅功率器件应用于电机驱动系统中的主逆变器，能够显著降低电力电子系统的体积、重量和成本并提高功率密度。

国内某碳化硅企业高管对记者表示，“目前已经有越来越多的车企开始使用碳化硅MOSFET模块方案，需求增速确实非常快。比亚迪在部分车型上搭载了高性能碳化硅模块，蔚来和小鹏汽车等车企也在计划采用。”

光伏领域则是导电型碳化硅衬底的另一个增长引擎。

相关研究表明，在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，却是系统能量损耗的主要来源。使用碳化硅材料，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%，设备循环寿命提升约50倍。

“到2025年，碳化硅功率器件在光伏行业的占比将达到50%，比2020年高出约40个百分点，且还会持续扩大占比。”前述企业高管介绍。

虽然国内碳化硅市场需求旺盛，但从产业格局看，目前仍是欧美及日本企业具有绝对优势。但国内碳化硅产业链上也在积极谋求突破并获得不少可喜的进展。

近期斩获巨额订单的天岳先进相关负责人表示，公司导电型衬底已获得IATF16949车规体系认证，且下游客户的送样反馈结果也非常积极。此外，公司拟投资25亿元建立子公司上海天岳，用于扩产6英寸导电型碳化硅衬底材料，项目计划于2026年达产，达产后将新增导电型碳化硅衬底年产能30万片。

露笑科技也在近日披露，目前公司已经到位280台长晶炉，预计7月能出产500片至1000片碳化硅衬底片，8月产出1000片至2000片，到今年底能实现月产能5000片的生产规模。

东尼电子相关人士表示，公司年产12万片碳化硅半导体材料项目计划购买约250台长晶炉及配套切磨抛设备。目前已有约50台长晶炉已完成安装调试，另有约100台长晶炉正在陆续安装调试。上述长晶炉及配套切磨抛设备全部安装完成，将形成约6万片/年的产能。

随着国内企业的发力，让碳化硅的成本也开始有了松动。

有行业人士向记者介绍，随着产能的释放和技术的成熟，碳化硅功率器件成本已经显著降低，目前碳化硅功率器件成本已降至硅基器件的3倍左右。

“随着碳化硅材料成本和价格的下降，碳化硅器件的下游应用还将更为广泛，这也将促进碳化硅市场规模的进一步扩大。” 前述行业人士指出。

新洁能积极布局碳化硅MOSFET，新能源汽车，光伏逆变器、储能下半年积极放量。

公司为国内领先的半导体功率器件设计企业。在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，公司作为唯一的设计公司连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业，是国内最早在 12 英寸工艺平台实现沟槽型 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET 量产的企业，而且是国内 8寸和 12 寸功率器件累计出货量最大的设计公司。同时，公司是国内最早同时拥有 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 及沟槽型功率 MOSFET 四大产品平台的本土企业，产品电压已经覆盖了 12V~1700V 的全系列产品，为国内 MOSFET、IGBT 等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。

公司已陆续推出SiCMOSFET/GaNHEMT/功率模块/智能功率驱动 IC 等新产品。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生升级”的良性发展模式，产品广泛应用于汽车电子、光伏及储能、数据中心、5G 通讯、工业电源、机器人、智慧农业无人机、安防、锂电保护、消费电子等领域。截至目前，公司已拥有 1500 余款的细分型号产品，是国内 MOSFET 品类最齐全且产品技术领先的公司，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。

第三代半导体功率器件平台：1200V 新能源汽车用 SiC MOS 平台开发进行顺利，1200V SiC MOSFET 首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平，产品综合特性及可靠性验证尚处于验证评估阶段；650V E-Mode GaN HEMT 首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平，产品综合特性及可靠性尚处于验证评估中。

在中美贸易摩擦的背景下，国内越来越多的电子产品企业为保证供应链安全以及降

低产品成本，开始向国内优秀的半导体分立器件企业采购技术水平和性价比较高的

MOSFET 等半导体分立器件产品。未来，随着国内半导体分立器件行业逐步突破高端产

品的技术瓶颈，我国半导体分立器件对进口的依赖将会进一步减弱，进口替代效应将显著

增加。