持续推进新品开发，加大研发投入。公司 SLC NAND Flash 量产产品 以中芯国际 38nm、24nm，力积电 28nm 制程为主，在 2xnm 制程上持续 开发新产品，不断扩充 SLC NAND 产品线，部分新品已达量产标准。 先进制程方面公司 1xnm NAND 产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制 造，并已完成功能性验证。NOR Flash 方面，公司产品在力积电 48nm 制程上持续推进更高容量新品开发，目前 512Mb、1Gb 等大容量 NOR Flash 产品均已有样品可供客户。此外，公司在中芯国际 55nm 制程 的 NOR Flash 产线已完成首次晶圆流片。DRAM 方面，公司将持续开 发更先进工艺制程的 DRAM 产品，进一步扩大公司存储器产品的种类 与规模。2022 年公司研发费用 1.10 亿元，占营收比例为 9.63%，同 比提升 3.03pcts。

产品结构不断优化，拓展多元化市场。公司持续优化产品结构，积极 扩大产品线布局，形成完整的 NAND、NOR、DRAM 及 MCP 产品供应链。 公司 SLC NAND 产品品类丰富、功耗低、可靠性高，产品使用温度范 围在-40℃-105℃，部分已通过 AEC-Q100 验证；SPI NOR Flash 存储 容量覆盖 64Mb-1Gb，符合-40℃-85℃/105℃工规标准，支持多种数 据传输模式，已完成从 65nm 至 48nm 制程推进；公司 DDR3(L)具有高 带宽、低延时等特点，广泛用于通讯设备、移动终端等领域，LPDDR1、 LPDDR2 系列产品适用于智能终端、可穿戴设备等产品，而在研的 LPDDR4x 及 PSRAM 产品均已为客户送样，可用于基带市场和模块类客 户。公司将聚焦高附加值产品，大力发展比传统消费电子类存储芯片 要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品产业化目标。