存储器国产替代放量在即，有望率先实现 光、膜、刻、量等全部设备高度可控

海力士称将调查mate60手机中的存储器芯片，我们分析如下：

市场需求：mate60带动Q3Q4消费电子旺季到来，产品目前供不应求。拆解称采用了海力士芯片，存在一定断供风险。但较早的mate40手机有采用国产存储芯片的历史，长期看存储器国产化大势所趋，若韩企迫于压力停供，国产芯片有望顶上。

国内扩产步伐稳健：
国内上市公司主耕利基型存储，需求较为稳定。湖北、合肥企业继续开展产业链国产化验证，24年扩产步伐有望加快并扩大市场份额，相关产业链企业有望深度受益

海外供给端：海外企业减产效果渐显，国产存储器量价双受益
DRAM,NAND厂商减产使存储器芯片供给逐季减少；季节性需求支撑将减轻供应商库存压力，预计第三季度DRAM均价跌幅将会收窄至5%以内；NAND Flash价格下跌幅度将收窄至3~8%，第四季有望企稳回升。

设备技术端：相较于逻辑芯片，存储器芯片对曝光机精度要求较低，3d nand 制造28nm级线宽即可满足要求。中微，精测，拓荆等企业，与国产曝光链条合作，有望推动存储器生产设备深度国产化。

重点关注：
存储厂商：江波龙，东芯股份，恒烁股份，普冉股份，北京君正，聚辰股份，佰维存储，深科技等。
设备厂商：精测电子、中微公司、拓荆科技、精智达