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1、驱动因素：22年7月21日晚，天岳先进公告重大合同，在2023-2025年向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品，合同金额约为人民币13.93亿元，折算年平均供应量有望达到7万片/年。

2、碳化硅（SiC）：

第三代化合物半导体材料，具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越的物理性能。半导体芯片中，而按照电学性能的不同，碳化硅衬底又可分为半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底两类。导电型碳化硅衬底近年在新能源汽车、光伏发电等领域获得广泛应用。

3、新能源汽车：SiC功率器件下游最重要的应用市场，主要应用于电机驱动系统主逆变器、车载充电器（OBC）/非车载充电桩和电源转换系统（车载DC/DC）。相比双极型器件IGBT，SiCMOSFET是单极器件，不存在拖尾电流，导通电阻、开关损耗大幅降低，能够提高能源转换效率。

（1）充电模块：根据Wolfspeed，汽车电池充电机采用SiCMOSFET在系统层面的BOM成本将降低15%；在400V系统相同充电速度下，SiC充电量较硅材料可以翻倍。SiC的高开关速度是新型快速充电器的核心。

（2）需求端：

产能角度：以特斯拉Model3为例估算，根据拆解图，主逆变器中有24个SiC模块，每个模块2个SiCMOSFET，共需要48颗芯片。一个6寸片面积约为8.8辆车所消耗的SiCMOSFET芯片面积，假设10%边缘损耗和60%良率，则单个6寸片足够供应约4.7辆车。Model3/Y2019年交货量30万辆，消耗6.4万片SiC，约占当年全球产能24%。

中期测算：仅考虑逆变器的搭载，新能源汽车将占SiC衬底产能50%。如果考虑车载OBC、充电桩、DC/DC的SiC使用渗透提升，需求量将更大。预计到2024年新能源车用SiC功率器件市场规模将达到近12亿美元。

4、光伏领域：在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，却是系统能量损耗的主要来源。使用碳化硅材料，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%，设备循环寿命提升约50倍。行业人士表示，到2025年，碳化硅功率器件在光伏行业的占比将达到50%，比2020年高出约40个百分点。

5、性价比提升：行业人士表示，随着产能的释放和技术的成熟，碳化硅功率器件成本已经显著降低，目前碳化硅功率器件成本已降至硅基器件的3倍左右。

6、市场空间：2025年全球以导电型SiC衬底制备的器件市场规模有望达到25.62亿美元，未来4年复合增长率34%，汽车、光伏和储能市场为需求增长最强动力。

7、相关公司：

天岳先进（市值348亿）：2021年碳化硅衬底产量约6.7万片，上海临港项目年产能30万片，计划于2026年达产。

露笑科技（市值266亿）：预计到2022年底能实现月产能5000片，到明年4月份左右月产能1万片，2023年年产20万片。东莞天域6英寸碳化硅导电衬底3年15万片订单，已在分批量交付。

东尼电子（市值118亿）：年产12万片碳化硅半导体材料项目（导电型）计划购买约250台长晶炉及配套切磨抛设备。目前已有约50台完成安装调试，另有约100台正在陆续安装调试，将形成约6万片/年的产能。

（部分资料来自国盛证券、银河证券、财联社、公告互动等）