美光HBM3 Gen 2送样，打破海力士垄断
美光近期推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片，是HBM3的下一代产品，采用1β工艺节点。HBM3 Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。美光表示，24GB HBM3 Gen2内存已经出样给客户。22年HBM市场中，海力士/三星/美光市占率分别为50%/40%/10%，而美光推出HBM3将加快行业发展。

存储创新加速AI落地
此前海力士预计，2024年HBM和DDR5的销售额有望翻番。我们认为，美光的技术突破有望加速HBM产品渗透，带动AI应用有更快的训练速度，从而加速应用普及。考虑到AI服务器应用DDR5内存，DDR5配套芯片的出货也有望受益。

美光与海力士进一步减产，供给侧优化
此前美光在其法说会表示进一步减产DRAM与NAND至30%产能，持续至24年；预计23财年资本开支为70亿美元，同比-40%。海力士近期亦表示在原减产规划上，额外减少5-10%的NAND产量。龙头加速减产有望在23H2反映至库存端，行业周期拐点有望提前。同时，今年减少的资本开支将使得明年供给增幅有限，带来价格持续反弹基础。

投资机会：
存储芯片：建议重点关注东芯股份（NAND+NOR+DRAM全面布局)，以及兆易创新（NOR+DRAM龙头）、北京君正、普冉股份等
存储模组：江波龙、朗科科技（韶关数据中心逐步落地）、德明利（NAND主控+模组）等
HBM供应链：华海诚科（HBM环氧塑封料）、深科技（DRAM封测）等
DDR5配套：澜起科技、聚辰股份

风险提示：需求、技术迭代、竞争风险。