投资者问答

1、介绍下公司目前碳化硅的总体情况。

答:公司刚完成25.67亿的非公开发行,募集资金已全部到位,接下来就是全力推进产能建设。目前我们已经到位的是280台长晶炉,有部分已经完成了前期的工艺安装调试,我们预计7月份大概能出产500-1000片,8月出产1000-2000片。原本我们的实施计划可以再快一些,但受限于一些辅料耗材进口方面的影响。我们预计到2022年底能实现月产能5000片的生产规模。目前公司募集资金已到位,公司将加速后期碳化硅产能铺设进程,随着后端相应的切磨抛进口设备到位,到明年4月份左右能实现月产能1万片,预计能够在2023年实现年产20万片的产能规划。

2、公司的碳化硅是否经过产业认证阶段。

答:公司从去年10月份就已经开始做器件端验证了,目前我们在SBD这一方面已经过了三轮验证,目前反馈的情况都很不错,公司的碳化硅衬底片在SBD这块应用已经比较成熟了。MOS这块公司尚处于验证过程中。

3、各个产品的验证周期是怎么样的?

答:碳化硅两个应用:SBD(二极管)和MOSFET(三极管)。二极管主要做开关,只需满足耐压要求,验证周期半年到一年。三极管做一部分开关和一部分功率器件,导致验证周期较长,需要一年到两年。

4、订单方面目前是怎么样的情况?

答:东莞天域3年15万片的订单,公司目前已经在分批量进行交付了,后续随着实际产能的逐步爬升,整体交付进度有望进一步加快。

5、公司碳化硅能否实现出口?

答:目前现状是全球碳化硅衬底都处于供不应求状态,国外衬底也是非常紧缺的,出口的市场是真实存在的。而且公司的衬底片产品参数都是对标国外贰陆公司的,不存在片子好差之分。未来随着公司设计产能的陆续达产,海外市场将会是公司重点考虑的一个方向。

6、碳化硅MOS取代IGBT请问怎么看?

答:如果不考虑快速响应,IGBT比MOSFET具有成本优势,但是有反向恢复损耗。因此,对频率要求不高的场合,IGBT可以存在。但是一旦MOSFET成本下降之后,就有可能取代IGBT。