涨跌幅:8.04%
板块异动原因:
半导体产业链;英伟达业绩超预期,带动美股半导体板块多数大涨。TrendForce发布报告指出,全球DRAM芯片需求预计最早将在7月份超过供应。
个股异动解析:
长鑫供应商/存储封测+高带宽存储芯片+高端制造
1、23年5月10日盘后消息,长鑫存储所需的晶片制造设备不受美国出口管制影响,将继续推动在上交所上市。公司是国内存储封测龙头,长鑫的主力封测供应商。
2、公司目前存储封测总产能为8.2万片/月,深圳厂稼动率处于满载,合肥工厂稼动率80%,公司在国内封测工艺领先,预计是国内存储芯片大厂后段委外最大受益方。
3、HBM(高带宽存储芯片,配套算力底座GPU)将数个DRAM裸片堆叠起来与数据中心GPGPU配合工作。公司具备8层和16层DRAM堆叠工艺,有望切入HBM封装赛道。
4、深科技合肥沛顿存储由国家集成电路产业投资基金二期出资合计9.5亿元。合肥沛顿主要从事动态随机存储器DRAM、NAND FLASH的颗粒封装测试,晶圆中测Chip Probing和内存模组制造业务。
5、公司主要从事高端存储芯片的封装与测试,产品包括动态随机存取存储器、NAND 型闪存以及嵌入式存储芯片。
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