1.存储芯片价格上涨幅度可观并具备一定持续性：国外几大存储原厂推动存储芯片价格持续上涨，其中NAND和DRAM合约价Q4预计平均上涨10-15%，三大原厂主动调价减少亏损，其中三星目标要在24Q2达成NAND芯片事业盈亏平衡。我们判断价格有望持续上涨至24Q2，从现在时点上涨幅度约30%才能够达到盈亏平衡。虽然此次推动价格上涨因素主要由供给侧决定，需求侧呈现弱复苏趋势（Q3手机复苏明显，PC弱复苏，传统服务器弱复苏，AI服务器需求旺盛），但是由于海外原厂扭亏意愿强烈，我们判断存储芯片价格仍具备持续性，目前预期涨价持续到24Q2。

2.国外存储原厂稼动率预计保持较低水平：今年以来国外存储原厂稼动率持续下降，目前大致维持在65%-70%左右，我们判断稼动率在24H1仍会维持较低水平，在需求明显改善前稼动率提升可能性较小。

3.存储模组厂短期预期利润弹性最大。国内模组厂采购海外原厂wafer，由于原材料持续涨价，模组厂也调涨进行价格向下传导，且手上持有大量低价库存，预计未来2个季度成本端保持低位，而模组价格将持续上涨，因此我们预计国内模组厂利润弹性最大。

4.国内存储芯片厂商静待涨价催化：目前国内存储价格普遍维持低位，预计大容量nor flash和利基DRAM在Q4有涨价趋势，slc nand、小容量nor flash、EEPROM暂未看到涨价趋势。

5.结论：优先推荐存储模组环节，江波龙、佰维存储、德明利、万润科技等。建议关注：存储芯片 --兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份；内存接口芯片及配套芯片--澜起科技、聚辰股份。