增资子公司（GaN项目）+SiC器件+服务器电源+储能+IGBT 1、2026年6月29日晚公告，公司拟使用募集资金向控股子公司上海道之增资2亿元，用于“车规级GaN模块产业化项目”建设，以把握氮化镓在高功率密度场景下的应用机遇。 2、公司产品已通过电源客户大批量应用于服务器电源及数据中心设备，同时开展对下一代 AI 服务器电源、数据中心所需IGBT、SiC MOSFET、GaN 等产品系列的开发，预计2026年开始推向市场。 3、公司新能源汽车碳化硅主驱模块已大批量装车应用，同时新增多个800V碳化硅主驱模块项目定点与欧洲品牌Tier1定点。 4、公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的IGBT模块在地面光伏电站和大型储能批量装机，并在北美等海外电站批量装机；公司1200V 650V大电流单管已大批量应用于工商业光伏和储能，处于行业领先地位。 5、公司主营为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的研产销,并以IGBT模块形式对外实现销售。