目前 我们光刻机前道光刻28nm刚刚做出来，稳定运行 估计需要一年以上，如果要买这方面的股，一定不要去做40nm以上的，没有意义了

目前确定给28nm光刻机供货的公司，才有爆发的价值。。

多年来，业界领先的高性能半导体设备制造商受益于炬光科技微光学光束整形产品的诸多优势，例如大透镜纵深（大数值孔径）、光场非均匀度低（1%）、高品质材料选择范围广（玻璃、石英、半导体等）。炬光科技与客户紧密合作，致力于用微光学技术为客户提供创新和优化的解决方案。使用微光学自由光束整形方案，炬光科技已参与实现了 sub 30 nm 结构的光刻工艺量产。

晶圆激光退火（Laser Annealing）是28nm及以下逻辑芯片制造中的关键工艺之一。该工艺采用近红外波段半导体激光光源，通过多组不同功能的激光光学整形系统及光学匀化系统，在工作距离下达成12mm*70µm的极窄线激光光斑，并保证光斑长度方向＞95%的能量均匀性。在不到一毫秒的时间内，晶圆表层原子被加热到1000°C以上，再通过急速冷却，使晶圆表面局部形成超浅结和高激活结，从而起到提升晶圆生产的良品率的目的。

炬光科技推出的DLight S系列半导体集成电路晶圆退火系统，结合产生光子的共晶键合技术、激光光源热管理技术、热应力控制技术以及调控光子的激光光束转换技术和光场匀化技术，生产一条长宽比达160:1的近红外波段极窄线光斑，并在光斑长度方向达到＞95%的能量均匀性和＞98%的能量稳定性。应用在半导体前道工序中，完成动态表面退火（DSA）和激光尖峰退火（LSA）两种加工工艺。

还有别的28nm以下工艺的公司 也可以在评论去补充。。