【电动车长续航呼唤更强器件 SiC有望全面导入 IGBT或被取代？】在近日举办的2021年第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会上，三安光电副总经理陈东坡预计，在2023-2024年，长续航里程的车型基本上80-90%、甚至100%都会导入碳化硅（SiC）器件。400-500公里续航里程的车型，他预计将在2024年之后开始导入（SiC），这一类车整体渗透率将达到40%左右。对于400公里以下的这一类车型，他预计2025年以后才会逐步跟进，而且这一类车型，整体渗透率也不会很高，预估在10%左右。当前，硅基IGBT是车用功率模块的主流，决定了新能源车电驱动系统的关键性能和整车的能源效率，是除电池之外成本第二高的元件。而新能源汽车的高电压、轻量化、高效率需求呼唤性能更高的半导体器件。SiC可以使模块和周边元器件小型化，推动汽车轻量应用，在提升续航里程、缩短充电时间、降低整体成本方面，SiC也起着重要作用。规模应用是推动SiC成本迅速下降的关键，未来伴随SiC产能的逐渐释放，成本有望下降至硅基IGBT的2倍左右。（财联社）