Teddy 写于2022/06/23

我们认为公司正值产能扩张前夜，配合强劲的需求，2023年将实现量价齐升，业绩可期。

一、公司概况

（1）公司简介
公司于 2010 年成立，是一家国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售。公司不仅在 2019 年和 2020 年跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三，还成功掌握了导电型碳化硅衬底材料制备的技术和产业化能力。目前，公司主要产品是半绝缘型碳化硅衬底，导电型碳化硅衬底材料已形成小批量销售。

（2）研发进展

（3）产品概况

天岳先进碳化硅衬底产品终端为无线电探测及通信行业，目前已通过国内下游领先公司验证并实现批量供货。公司产能有限，主要供给下游领先客户

1)客户A:无线电探测行业领先厂商，2018年开始批量向公司采购半绝缘型碳化硅衬底，2018~2020年对公司半绝缘型碳化硅衬底的采购额从0.68亿元上升至1.9亿元；

2)客户B:通信行业领先企业，近年对半绝缘型碳化硅衬底需求量迅增，2018~2020年对公司半绝缘型碳化硅衬底采购额从148.21万元上升至1.4亿元，来自客户B的销售收入比例达49.31%。

（4）研发实力

天岳先进核心研发人员具备多年研发及实践经验，技术研发人员占比达17%。公司董事长兼总经理宗艳民为硅酸盐工程专业出身，正高级工程师，享受国务院特殊津贴，同时是齐鲁工业大学特聘教授。首席技术官高超先生为材料物理与化学专业博士，高级工程师，享受国务院特殊津贴，2014年开始在天岳先进就职，现主持公司的产品和技术研发工作，具体负责碳化硅单晶制备技术。

天岳先进已掌握涉及衬底制造流程的各项技术，碳化硅专利数处于国内领先水平。公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各类核心技术。公司拥有授权专利332项，其中与碳化硅衬底相关的境内和境外发明专利分别为86项和3项。截至2020年底，国内可比公司天科合达拥有34项专利，公司碳化硅专利处于国内领先水平，具有一定的技术优势。

（5）贸易状况

受《瓦森纳协定》制约，半绝缘碳化硅衬底难以进口，为满足国产替代需求，公司将主要产能分配到半绝缘产品。2008年《瓦森纳协定》对半绝缘型碳化硅衬底进行明确的限制，部分西方发达国家作为协定成员国对我国停止销售该产品，制约了我国国防和新一代信息通信的发展，对国家发展、产业链安全造成严重威胁。在此背景下，公司自主研发出半绝缘型碳化硅衬底技术，将主要产能分配到半绝缘产品，实现我国核心战略材料的自主可控，有力保障了国内产品的供应，确保我国宽禁带半导体产业链的平稳发展

（6）募投产能扩张计划

天岳先进拟募资25亿元用于生产6英寸碳化硅衬底，具体资金用途包括购置土地、新厂房建设和国内外先进生产设备的引入。募投项目资金概算中，设备硬件投资资金占用额最大为120820万元，占比48.33%，机电安装投资和基础设施建设投资次之，金额分别为33000万元和30000万元，占比分别为13.2%和12%。
6英寸碳化硅衬底项目预计2026年100%达产，新增导电型碳化硅衬底产能30万片/年。项目主要用于生产6英寸导电型碳化硅衬底材料，建设期为6年，自2020年10月开始前期准备进行工厂研究、设计，计划于2022年试生产，预计2026年100%达产。达产后，将新增导电型碳化硅衬底产能30万片/年。

（7）市占率

二、需求概况

上一期我们系统的介绍了功率器件（导电型）的下游需求，本次将具体介绍射频器件（氮化镓外延半绝缘型）的下游需求情况。

（1）射频器件
射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。

碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氨化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。

砷化镓器件、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓器件的比较：到2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，氮化镓射频器件有望占据约50%的市场份额。

根据Analog Dialogue:
1）砷化傢器件：已在功率放大器上得到广泛应用；

2）硅基LDMOS器件：已在通讯领域应用多年，但其主要应用于4GHz以下的低频率领域；

3）碳化硅基氨化镓射频器件：目前正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额；

根据Yole数据，2020年全球碳化硅基氮化镓射频器件市场规模为8.91亿美元，预计2020-2026年将以17%的CAGR增长至22.22亿美元。

（2）市场应用与未来

碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，国防应用和无线通信基础设施为主要驱动。国防军事与航天应用市场是拉动我国GaN微波射频器件市场规模的主要驱动力，根据CASA数据，2020年市场规模为34.8亿元，未来5年将以25.4%的CAGR增长至100亿元。我国GaN微波射频器件在国防军事与航天应用市场已经100%实现国产化。

预计2022年将迎来国内5G建设的高峰期，2023年后毫米波基站将有望大规模部署，拉动GaN微波射频器件市场规模成倍数增长。根据Frost&Sullivan数据，预计2022年将迎来中国新建5G基站高峰，2022年新建5G基站数量预计达110万个，对应投资规模约为1500亿元，2022年后中国5G基站建设将逐步放缓。但2023年开始，毫米波基站将有望开始大规模部署，成为拉动市场的主要力量，带动国内GN微波射频器件市场规模成倍数增长。

根据Qorvo披露的关于毫米波中氮化镓的应用，可以看到只有氮化镓这种材料可以胜任这样的高频率需求，在毫米波基站大面积建设的未来，我们认为，碳化硅基氮化镓外延片的需求将持续火热。

三、逻辑总结

1）公司为半绝缘型碳化硅衬底龙头，公司拥有580台长晶炉，年产约6.7万片，良率在70%-75%之间，合格晶圆片为4.8-5万片。

2）公司创始人享受国务院特殊津贴，公司业务标的受到“十四五规划”重点科技发展支持，在深入研究行业后，我们发现半绝缘碳化硅衬底是用于国防、航天、5G等关键技术中的关键材料，外围对于我们的封杀促使我们发展这项技术，我们对于市占率的突破，完全是在于我们的需求在国际上保持前列，并且我们做到了国产化100%。

3）我们认为半绝缘碳化硅衬底需求将持续强劲，公司将持续保持满产满销的状态，并且因为国际上的封锁，天岳先进将保持较强的溢价能力。

4）我们测算公司新建产能虽然2022年3季度试生产，但长晶的过程通常需要半年左右，故公司的产能规划在2022年的财报上的影响应是微乎其微，甚至会造成毛利率的降低。

5）虽然本次募投资金用于导电型碳化硅衬底的产能扩建，但经过我们的研究发现，半绝缘型和导电型产品在主要生产工艺上有许多共通之处，本质上两种产品都是碳化硅单晶。两种产品对材料的电学性能的不同要求是造成生产工艺差异的主要原因，单晶生长过程中通过严格控制外部杂质的引入，从而获得极高纯度的半绝缘衬底或定向掺杂的导电型衬底。所以，这些产能是可以随时改变标的的。

6）我们认为天岳先进将于2023年迎来产能爆发，而在产能爆发的前夜，公司只能通过改善产品良率来实现营收的上涨，总体看公司未来业绩可期。

文章信息均来自公开信息与上市公司公告，内容不构成投资意见