比亚迪IGBT采购情况 比亚迪集团保守估计整车销量150万-180万。

比亚迪半导体自供100-110万台车，剩余外购。

第一供应商斯达，第二供应商中车（由于交付能力的原因，量不是特别大），士兰微有导入（十月份开始量产），英飞凌有外购一小部分，富士也有一点但不太多。

后续自供和外采的比例不好说。

明年规划300-350万台车，目前正在做调研，大概率内部供应60%，外部40%。

比亚迪产能

芯片产能：1）宁波晶圆厂-全年30万片（6吋）；2）山东济南-一期3万片/月，二期三万片/月，目前1.3-1.5万片/月，4Q爬坡至3万片/月；3)长沙-今年10月份投产，设计产能3万片，年底约1万片/月（8吋）；4）积塔半导体-1.4-1.5万片/月（8吋）；5）中芯国际-5千片/月（8吋）；6）三美公司-3千片/月（6吋）。

封装产能：深圳封装厂一个月20万片左右的产能，后续在浙江会建设一个封装厂。

也有产品在外部代工。

比亚迪碳化硅的规划以及产能

单管-主要用在车载OBC以及DC/DC；规格1200V为主，少数650V。

比亚迪已经量产很多年，从台湾汉磊代工，自供占65-70%。

外购的包括深圳埃斯科等。

模块-比亚迪自己独供。

芯片70%博世，20%ST，少数Cree。

自己的芯片已经开始在做验证了，准备装车，计划明年1Q-2Q投产（原定4Q，主要是由于宁波晶圆厂产能不足）。

碳化硅渗透率-预计今年15-20%，明年20-25%用碳化硅。

Q&A：

Q：为什么不用Cree的碳化硅

A：不是因为性能的原因。很早之前用过Cree的单管，但是在主电驱供货能力以及成本的竞争力并不大。第一款SiC车型是比亚迪汉高性能4驱版，后驱采用SiC。ST的成本好，但是质控不够稳定。

后续找到了博世，供货和质量都比较稳定。

Q：国内外碳化硅器件和wafer价格走势

A：目前碳化硅衬底、外延、封装，整体的市场份额还是Cree，罗姆，ST，博世市占率领先。国外大厂70-75%良率，国内良率55-60%，成本端国外更有优势。

SiC相对IGBT成本3.5倍-4倍左右。

Q：士兰微IGBT合作进展

A：目前士兰微主要量产的是HP1封装模块，HPD的模块出的比较晚，还没量产，十月份才开始有产能，这是造成进度延后的原因。

目前士兰微HPD模块已经通过验证。

比亚迪除了斯达、中车（交付交不上）、士兰微交货也不是很顺畅，现在别的一些品牌也在陆续进来。

Q：外采份额

A：几家小的加在一起10-12%。

Q：如何兼容这么多供应商

A：IGBT模块规格不多，750v 400A/600A/820A/950A四个电流等级。

1200V 450A/600A以及比亚迪定制的DMI专用模块，1200V 500A/600A。

八款模块的封装都一样，也是市场上比较通用的模块。

每个厂家基本可能供应一款模块，没有厂家能供全部规格的模块。

Q：外采模块价格是否有调整

A：今年涨价已经涨过了，一般涨价一年1-2次，年底可能会有价格调整。

Q：SiC衬底以及器件会考虑用国内供应商么

A：肯定会用，但是比例不好说。

但未来1-2年国外比例会比较高。

供应商偏好1）上市公司（风险小）2）有研发能力的公司。

Q：斯达产品性能和国外产品比较

A：封装角度主要有单管TO-247Plus封装，HP1，HPD以及Econo分装，电压角度650v，750v和1200v。

从成品的角度性能差距已经不明显了，半代到一代差距，目前650v都采用IFS+沟槽工艺，技术以及参数都比较接近了。

未来750v会是最主流的，英飞凌目前还是最好的，但国内中车比亚迪、斯达都能满足应用。

汽车考虑到研发的滞后性以及可靠性要求，并不一定要用最新代的芯片。

Q：斯达的产能如何

A：预计斯达能供100万台车。

但看起来应该在80-100万之间。

比亚迪外购40万里面斯达占40%-45%左右。

Q：单车IGBT的价值量

A：比亚迪宋Plus为例，主电驱-逆变模块1300元，升压模块1200元，总共2600元。

其他空调等加在一起200元左右。

Q：SiC代替IGBT

A：28万以上的车型用碳化硅，尤其是四驱模块。

未来2-3年可能23-24万的车型用，4-5年20万以上都会用到SiC模块。

Q：碳化硅价值量

A：目前比亚迪汉后驱用一个SiC模块1200V 840A，售价9000元。

OBC和DC用到1200V 12个单管，共360元。

另外就是充电桩上用。

Q：埃斯特

A：总经理之前是比亚迪半导体负责碳化硅的产品经理。

负责研发的是比亚迪出来的，所以导入比较快，已经有在量产。

Q：碳化硅供应是否能供保障

A：2024年前IGBT都会保持紧张（光伏和汽车都不会好转），碳化硅好一些（因为量产的基本只有比亚迪和特斯拉，在光伏也没有大规模应用）。

IGBT方面英飞凌等大厂目前的交付能力都不足，新能源车供应优先级比较高。国内厂商明年上半年的订单已经没法排单了，已经要挤下半年的订单了。

而2024年会是一个转折点，主要是目前晶圆产能还没有释放。

Q：有国内IGBT厂商和欧洲Tier1直接合作，和英飞凌竞争么

A：斯达和比亚迪都有在做，走到国外会比较快。

国外的Tier1验证周期比较长，但比亚迪2023和2024国外市场就会逐渐起来。

斯达通过联合电子等一些厂家陆续进入国外的供应链。

英飞凌和安森美在国外的供应也是不足的，所以一定会有国内的厂商去填补空白。

Q：比亚迪外售

A：核心是产能，产能起来一定会外售，目前自身的需求太大。

Q：未来产能松下来，国内厂商，比如中车否能通过成本优势去竞争

A：有可能。在国内英飞凌750V模块价格比较高，中车的模块在行业内也是做的不错的，但的确性能上是不如英飞凌的。目前英飞凌给欧洲的企业供货的价格也比较低，后续就看企业下的决心。

Q：碳化硅国内厂商和国外厂商的价格差异

A：终端的售价有20%-25%的差价。

Q：衬底是车厂选还是器件厂商选

A：整车厂对衬底是有要求的，但没有说一定要选国外的。

外延制作目前难度比较高，大家比较关注设计和外延。

国内量产的衬底不多，国联万众、三安目前还主要是送样的阶段，有单管出来，在OBC DC/DC有一定机会，但也需要时间导入。

Q：斯达SiC验证

A：斯达的芯片用的罗姆的，给小鹏P9以及宇通大巴供应。

和蔚来、理想、红旗都在谈，也主要是测试阶段。

2023年下半年到2024年会有量产。

Q：碳化硅目前没有大批量采用的原因

A：主要要看母线电压，IGBT选母线电压两倍的。

330v母线电压用650v IGBT，400v系统对应750v IGBT模块。

等到了800V系统对应用1500-1700v的IGBT模块。

目前IFS+沟槽工艺的IGBT芯片1200V电压等级的耐压值在1300V左右，是没办法用在800v系统上的。

而且即便是IGBT能做到耐压等级，SiC也有面积小，损耗低的优势。

目前SiC还没有大规模装车的原因一个是成本（现在SiC还是IGBT的3.5-4倍），一个是技术难度（很多电控厂没有研究到位，电驱不好控制；模块厂在封装上也需要继续研究）。

碳化硅应用是一个系统性问题。

Q：英飞凌 On Semi在扩12吋IGBT，24年达产，是否到时出现产能过剩（考虑SiC的替代）

A：碳化硅技术还在发展，衬底6吋和8吋主要区别在于边际成本，未来SiC也可能用12吋，8吋的IGBT产线完全可以转SiC。

Q：长期SiC代替IGBT

A：未来5-10年，IGBT和SiC一定是并存。

车上，未来10年SiC市占率超过IGBT都会比较困难。