公司自主研发的RF CMEMS工艺平台+ 清华大学-北京电控联合研究中心的科研成果“硅基纳米激光器和光放大器”为硅基光源 。产品定位：高密度功率器件（2027年全球市场规模62.97亿美元）、显示驱动IC（2025年全球市场规模80亿美元）、电源管理IC（2026年全球市场规模565亿美元）、硅光芯片（2025年全球市场规模561亿美元）、月产能4万片CMEMS工艺12英寸裸芯片制造年产值51.84亿美元，到2027年公司12英寸线产品覆盖全球市场规模合计达1320.81亿美元。

      其产品频率30GHz-3000GHz（太赫兹电磁波谱频率约为 10^12Hz 被称为T波或T射线，6G频段100GHz-10THz）；传输速度50Gbps (6G为11Gbps比特每秒)，其频率和传输速度覆盖6G-10G、太赫兹，信号处理传输速度是电子芯片信号处理传输速度的1000倍，能耗却是电子芯片能耗的百分之一。产品应用于人工智能物联网、激光雷达、工业互联网数据中心、5G-10G通信、医疗健康、高性能超级计算、量子计算、天文观测，生物成像，医疗诊断，移动终端，工业检测，安防监控等领域。

     基于“硅基纳米激光器和光放大器”为硅基光源为全球唯一， 将对全球硅光集成电路芯片产业构成技术壁垒，实现中国芯片“反卡脖子“，引领国际科技创新前沿和引导产业技术升级。

    燕东微是清华大学-北京电控联合研究中心成果转化及产业化的平台载体。清华大学-北京电控联合研究中心的亚1 nm 物理栅极长度的石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管（目前自然界唯一 一层原子厚度0.34纳米栅长尺寸物质）为元器件、硅基纳米激光器和光放大器为硅基光源 、元成像芯片架构底层技术（摆脱“卡脖子”的EUV光刻机），均属于全球独一无二的技术。12 英寸线量产后，燕东微启动亚1nm芯片项目立项与建设，集成“亚1 nm 物理栅极长度的石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管（目前自然界唯一 一层原子厚度0.34纳米栅长尺寸物质）为元器件”+“元成像芯片架构底层技术（摆脱“卡脖子”的EUV光刻机）”技术

未来燕东微集成电路芯片产业链的主流产品“CMEMS工艺硅光芯片”及“亚1nm芯片“+模块（硅基纳米激光器和光放大器为硅基光源等）/器件（亚1 nm 物理栅极长度的石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管等元器件、元成像芯片架构）。

#12吋产线一阶23年试产24年达产。

12英寸集成电路生产线总投资75亿，购置国产设备300余台，建成后将形成月产能4万片，工艺节点65nm的产线，产品定位为高密度功率器件、显示驱动 IC、电源管理 IC、硅光芯片等。第一阶段将于2023年4月试生产，2024年7月产品达产；第二阶段计划将于2024年4月试生产，2025年7月达产。

#具备6吋、8吋晶圆生产能力。
晶圆方面，目前公司共有一条8英寸晶圆生产线和一条6英寸晶圆生产线已实现量产。其中燕东科技负责8英寸晶圆生产线运营，位于北京市经济技术开发区，截至2022年6月产能已达超过4w片。四川广义负责6英寸晶圆生产线运营，生产线位于四川省遂宁市，截至2022年6月产能已超过6w片。2019~2022H1期间，公司6英寸晶圆产能利用率保持在90%以上，8英寸晶圆产能利用率也在此期间提升并稳定在80%以上。

#建成SiC晶圆产线。
在SiC方面，公司已经建成6英寸SiC晶圆生产线，已完成SiC SBD产品工艺平台开发并开始转入小批量试产，正在开发SiC MOSFET工艺平台。且12英寸线进展顺利，布局较为完整。

#特种IC加持。
从产品的角度来看， 2019~2022H1期间公司产品下游主要应用于特种应用和消费电子领域，其中特种应用为主要应用场景，期间销售收入占比均超55%。特种IC毛利率常年维持60%以上，2021年特种IC毛利率达68.19%。目前由于特种IC对于产品要求较高，且参与玩家较少，属于较为优质赛道，且由于行业特殊性短期我们认为格局很难被打破。