消息面上，余承东表示，智界S7全系搭载 800V 碳化硅高压平台。民生证券研报认为当下智能车的创新，依旧聚焦于续航+智驾，而破局之钥则是碳化硅及激光雷达。碳化硅国内生态正逐步完善，国产SiC产业链有望快速崛起。$民德电子(SZ300656)$ 天富能源早盘封板。

机构研报：800V车型密集发布，碳化硅是800V高压快充标配。碳化硅耐高压特性适配800V高压快充车型，同时SiC方案可实现新能源汽车三电系统降本、增效。23年有小鹏G6、极氪X、智己LS6等多款20-25万元价格段的标配碳化硅车型上市，可见新势力车企的高性能策略已强势拉动碳化硅渗透，未来仍将有同价格段车型如极氪007等上市。碳化硅市场未来将由新能源汽车主导拉动，预计2028年全球市场规模有望达到66亿美元，22-28年CAGR高达32%

1、衬底端，国产产能释放拉动降本，重视各厂商产能实际交付能力。1）SiC价格较高限制应用放量，21年衬底占成本比例约46%、是产业链的核心降本环节，24-25年国产衬底厂商市场释放是产业链降本、打开需求空间的关键时点。2）根据Yole数据，2022年全球碳化硅衬底市场中，Wolfspeed、II-VI和SICrystal三家合计占据约72%市场份额，国产厂商天科合达、天岳先进加速追赶，22年导电型衬底合计实现营收1.04亿美元，合计占比15%，同比+5pct。3）尽管各国产厂商规划产能增速极高，但由于碳化硅衬底存在降低缺陷密度等技术门槛，因此并非所有规划产能均能如期实际交付，部分厂商未来可能出现技术落后将导致盈利能力不佳，从而放缓扩产节奏，尾部厂商将主动或被动完成产能出清。

2、器件端，国产厂商研发、扩产并举，24年有望成为国产化元年。1）根据Yole数据，2021年SiC市场份额前五厂家均为欧美日企业，合计占据93%的市场份额，其中意法半导体依靠与特斯拉的合作占据全球40%的市场份额。2）国产设计厂商持续推出导通电阻更低、性能更优的碳化硅芯片产品，同时传统设计公司已开始涉足碳化硅晶圆制造产线建设，拟完成碳化硅IDM能力构建。国产代工厂商持续提升工艺平台能力、扩建产能。3）可比国产IGBT上车历史，凭借供应本土化优势，国产碳化硅模块厂商有望加速上车，24年有望成为器件国产化元年。

投资建议：碳化硅市场高增长趋势吸引业界激进投资，远期规划产能合计数已超远期需求，未来供过于求将导致尾部厂商被出清，技术（降本能力）、产能（有效产能）、客户关系为决定竞争格局的关键要素。建议关注具备技术、客户先发优势的国产厂商，推荐天岳先进（衬底龙头扩产、拓客并举，业绩拐点将至），建议关注晶升股份（长晶炉）、中芯集成（代工厂）、斯达半导、英搏尔（器件）等

英搏尔公司积极布局了第三代功率半导体 SiC 相关技术。SiC 电控相对于硅基 IGBT、MOSFET 电控，具备低开关损耗特性、高功率密度及高效率等优势。公司研制的 SiC 电机控制器已于 2019 年交样，采用IGBT单管并联技术方案，功率密度优秀。 2020 年至今已为一汽红旗、一汽大众提供 SiC 控制器样品。

公司已研发出如“电机、电控、减速箱、 OBC、 DC-DC 及 PDU 多合一集成技术”“电机、电控及减速箱高度集成一体化设计技术”“800V 高压高速异步铸铝转子电机技术”“基于SiC 器件的 800V 平台车载充电机技术”“基于 SiC 器件的 800V 平台车载 DCDC 技术”“高功率密度扁线电机技术”等核心技术成果。并且供货吉利、上汽、奇瑞、江淮、长安、长城、东风、一汽、小鹏等大型车企

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 公司有增程式配套产品，也是作为市场最高标东安动力的补涨