近期，台积电在ISCCC（International Solid-State Circuits Conference-全球最重要的半导体顶级学术会议）上放了上面这么一张图片。而这就叫，HBM。目前用在AI的Memory是HBM（高带宽memory）是DRAM的一种。

· HBM是什么？

而AI芯片像英伟达（NVDA.US）H100这种，需要100GB的内存。需要的存储数量非常的大，而单颗DRAM又没这么大容量，所以需要数颗乃至数十颗组合才能满足要求。考虑到最后做成的芯片面积不能太大，否则一块电路板都放不下，所以必须把这些颗给叠起来。那么这就是HBM了。

那么这些叠起来的颗粒要并起来使用，不仅是需要电连接统一起来，同时还需要和逻辑SOC主芯片之间的交互数据，需要有一个logic die用来寻找地址和控制读写。比方说：英伟达（NVDA.US）的H100的内存存储中，每个bank有128bit位宽，共有8个bank，所以是1024位宽接口，且每个引脚传输速率达6.4Gbps。怎么理解这个6.4Gbps速率呢？相当于一个引脚一秒钟之内就可以传完一部高清电影，这样的引脚需要1024个。

以上这么上千根数据线和地址线的组合乃至逻辑控制，背后都是一颗颗晶体管在默默支撑。每个晶体管导通和闭合都是有延迟的，速率要保证、时间最宝贵。必须保证每根线路的skew（低电平到高电平的爬坡时间）要很小很小，要70皮秒（10的-12次方）以下。除了要保证每根skew小，还要数千根数据线的同步。因此HBM颗粒与logic之间是通过TSV（硅通孔）工艺给电连接起来的。就好比我们用的5G手机大概也就是3G-5G频段上通过无线电传播（第一个G是代；第二个G是10的9次方赫兹）。这么多条线路，每条线路都可以对外辐射电磁波，之间相互干扰（EMI管理）都是技术难点。

而这些DRAM memory厂商一直在努力，海力士更是因为十多年持续在HBM这块的投入，所以一直技术引领、份额领先。根据集邦咨询的数据显示：海力士大概占全球70%份额，三星大概占20%，美光大概5%。鲜花的背后是大量的资金、汗水、人才、长时间聚合的结果。

而这一场ai的芯片浪潮当中，SK海力士无疑是这波内存热潮中的最大受益者，根据海力士数据显示：截至2023年12月31日，SK海力士在2023财年和第四季度的营收取得了显著增长。特别是其主力产品DDR5 DRAM和HBM3，在这一年的收入较去年上涨了4倍以上。

随着科技进步，这类高端材料不仅是芯片需要，电路板内部也需要。比如英伟达（NVDA.US）AI就需要特殊要求的覆铜板，这种高端覆铜板90%由台湾厂商台光电子提供，由此台光电子2023年股价也实现了一年五倍。这类高端覆铜板之所以高端特殊，就是因为这些高端填料的加入。整体来说，当下AI浪潮的来临，加速了各个板块之间的高阶竞争。能否搭上AI浪潮这艘大船，乘风破浪，也是各厂家所需要争夺的船位了。

通富微电（002156）:公司具备国内顶级2.5D/3D封装平台及超大尺寸FCBGA研发平台，并且完成高层数再布线技术开发， 为客户提供晶圆级和基板级Chiplet封测解决方案，已量产多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装，是中国首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发的封测厂。公司通过收购AMD苏州及AMD槟城各85%股权，实现与大客户AMD深度绑定，AMD于2023年推出MI300，并于23Q4陆续降幅，预计24年将迎来大幅放量，公司将充分受益。

长电科技（600584）:公司与客户共同开发基于高密度Fanout封装技术的2.5DfcBGA产品，TSV异质键合3DSoC的fcBGA通过 认证。公司的封测服务覆盖DRAM、Flash等，深耕行业20余年，在16层NANDflash堆叠、35um超薄芯片制程能力 、Hybrid异型堆叠等方面行业领先。公司XDFOI技术平台布局AI、5G、汽车、工业等领域运用，XDFOI Chiplet 量产。

太极实业（600667）:公司子公司海太半导体与SK海力士签订5年合作协议，SK海力士持有海太半导体45%股权，海太与SK 海力士形成深度绑定，海太为SK海力士提供DRAM封装服务。SK海力士23年占据HBM市场约50%份额，伴随24年 HBM出货量爆发，公司有望承接溢出封测需求。

深科技（000021）:公司通过收购沛顿科技切入存储封测，沛顿科技专注高端封测，具备DDR5、LPDDR5封测量产能力。沛 顿Bumping项目已通过小批量试产，聚焦FC倒装工艺、POPt堆叠封装技术的研发、16层超薄芯片堆叠技术的优化。

赛腾股份（600283）:公司通过收购全球领先的晶圆检测设备供应商日本OPTIMA进军晶圆检测装备领域，公司产品涉及固 晶设备、分选设备，晶圆包装机、晶圆缺陷检测机、倒角粗糙度量测、晶圆字符检测机、晶圆激光打标机、晶 圆激光开槽机等，通过OPTIMA切入三星、 SK siltron、sumco等大客户供应链，三星加码24年资本开支，计划 24年HBM产线扩产至23年的一倍以上，量测设备需求增加，公司有望受益。

中微公司（688012）公司为国内刻蚀设备龙头，其中ICP刻蚀设备在DRAM、3D NAND多个客户的生产线量产，伴随Nanova VE HP和Nanova LUX推出，ICP刻蚀设备的验证工艺范围持续扩展，在先进逻辑芯片、先进DRAM和3D NAND的ICP 验证刻蚀工艺覆盖率有望扩展到50%-70%不等。公司8英寸、12英寸的Primo TSV 200E、Primo TSV 300E在晶圆 级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等订单充沛，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证。

拓荆科技（688072）公司在半导体薄膜设备领域深耕十余年，ALD量产规模逐步扩大，随着存储芯片主流制造工艺已由 2D NAND发展为3D NAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加，同时3D NAND FLASH芯 片的堆叠层数不断增高，从32/64层逐步向更多层及更先进工艺发展，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦 将延续。

雅克科技（002409）公司于2016年通过收购控股UP Chemical，正式切入前驱体行业，UP Chemical自04年成为SK海力士 前驱体核心供应商，形成多年深度绑定。SK海力士HBM占据50%市场份额，并且于22Q3起向英伟达独供HBM3。公 司产品覆盖硅类前驱体、High-K 前驱体、金属前驱体，伴随HBM需求量增加，SK海力士出货量提升，公司将充 分受益。

联瑞新材（688300）公司深耕无机填料和颗粒载体行业近40年，为国内硅微粉龙头。公司持续聚焦高端芯片AI、5G、 HPC封装，异构集成先进封装Chiplet、HBM，以及新一代高频高速覆铜板，推出多种规格低CUT点Low微米/亚微 米球形硅微粉，低CUT点Lowα微米/亚微米球形氧化铝粉，高频高速覆铜板用低损耗/超低损耗球形硅微粉，新 能源电池用高导热微米/亚微米球形氧化铝粉。

壹石通（688733）公司布局记忆体封装用Low-α高纯石英及Low-α高纯氧化铝制备技术、Low-α粉体制备技术、球形化 生产工艺等核心技术，已具备Low-α射线球形氧化铝的产业化能力。公司规划新建的年产200吨高端芯片封装 用Low-α球形氧化铝项目，有望在2023年下半年实现部分投产，目前日韩客户已陆续送样验证，客户初步反馈 良好。Low-α球形氧化铝粉体在EMC或GMC中的体积填充率大约在80%-90%，有望受益HBM出货量增加。

华海诚科（688535）公司为国内环氧塑封材料龙头，在先进封装领域，公司已成功研发了应用于QFN/BGA、FC、SiP、 FOWLP/FOPLP 等封装形式的封装材料。GMC颗粒状环氧塑封料可以用于HBM的封装，公司相关产品已通过客户验证，现处于送样阶段，有望受益国产材料替代。

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