君理资本半导体前道设备研究（四）拓荆科技-韭研公社

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君理资本半导体前道设备研究（四）拓荆科技

君理资本

机构

2022-11-04 10:59:14

君理资本半导体前道设备研究（四）

拓荆科技(688072.SH)

Teddy写于2022/11/3

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一、公司简介

二、现有技术

三、研发与发展

四、行业内对比

五、财务状况

一、公司简介

国内半导体薄膜沉积设备领域龙头。公司成立于 2010 年，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司拥有自主知识产权，且技术指标已达到国际同类产品先进水平，产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破了国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司多次承担国家重大专项，多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。

公司聚焦薄膜沉积设备，三大系列均已批量供货国内主要集成电路晶圆厂产线。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三大系列薄膜沉积设备。经过十余年的积累沉淀与快速发展，公司已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，可以满足下游集成电路制造客户产线对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。目前，三大系列产品均已批量发往国内主要集成电路晶圆厂产线，广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路制造产线，累计发货超 150 台，并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。

二、现有技术

1、PECVD 系列产品

PECVD 设备是芯片制造的核心设备之一。由于等离子体的作用，可以在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。

2、SACVD 系列产品

SACVD 设备主要应用于沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD 反应腔环境具有特有的高温（400-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔（Gap fill）能力。

3、ALD 系列产品

ALD 设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、DRAM 和3D NAND 制造中，ALD 是必不可少的核心设备之一。

公司的产品已适配国内最先进的 28/14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 芯片和64/ 128层 3D NAND FLASH 晶圆制造产线。其中，PECVD 设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM 存储、FLASH 闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了 LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，拓宽了公司 PECVD 产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。同时，公司产品也已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。

三、研发与发展

1、公司承担的重大科研项目

PECVD 设备在研项目

ALD 设备在研项目

SACVD设备在研项目

2、研发团队

公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至 2022 年 6 月，公司研发人员共有 296 名，占公司员工总数的 43.72%。

3、公司 IPO 计划募资 10.00 亿元（实际募资 22.73 亿元）

1）高端半导体设备扩产项目：该项目计划在公司现有的半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设。该项目建成后将扩充公司产能，解决随业务扩大带来的场地不足问题。

2）先进半导体设备的技术研发与改进项目：该项目主要面向 28nm-10nm 制程 PECVD设备的多种工艺型号开发、面向 10nm 以下制程 PECVD 设备的平台架构研发及 UV Cure系统设备研发。PECVD 是化学气相沉积中应用最为广泛的技术，也是公司目前营收来源最主要的产品，该项目配合高端半导体设备扩产项目有利于公司抓住国内半导体产业高速发展的市场机遇、提高市占率

3）ALD 设备研发与产业化项目：该项目拟通过开展系列技术研发，基于公司现有 ALD设备技术基础，开发面向 28nm-10nm 制程的 ALD 设备平台架构，发展多种工艺机型，同步开发不同腔室数量的机台型号，满足逻辑芯片、存储芯片制造不同的工艺需求，并进行规模化量产。目前 ALD 设备占公司营收比例较小，而 ALD 设备是先进制程晶圆制造的关键设备，因此该项目响应了当前环境的下游客户发展先进制程产线的市场需求，有助于为公司贡献业绩增长点。

四、行业内对比

薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面，行业基本由应用材料（AMAT）、先进半导体（ASMI）、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL）等国际巨头垄断。

国内CVD市场设备占有率

公司具备优越的客户资源基础，且在国内领先的行业地位有助于进一步拓展客户。在集成电路 PECVD、SACVD 设备方面，公司都是国内唯一一家产业化应用的厂商，ALD 设备方面，公司也居于国内领先地位。

1）国内市场：公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破了国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。根据公司公告，2019-2020 年公司 PECVD设备中标数量占长江存储、上海华力、无锡华虹和上海积塔四家招标总量的 17%，SACVD设备约占 25%。

2）国际市场：依据公司公告，公司已与某国际领先晶圆厂建立业务联系，发货两台设备至客户先进制程研发产线，为打开国际市场奠定了基础。

市场认为国内薄膜沉积设备市场竞争激烈，除了国外四大巨头，国内的中微公司和北方华创也均有参与。

我们认为薄膜沉积工艺较多，且市场空间足够，国内厂商目前处于差异化竞争阶段。拓荆科技聚焦在CVD、ALD领域，CVD产品包括PECVD和SACVD，且以 PECVD 产品为主。中微公司主要聚焦 MOCVD 领域，产品应用于 LED、mini LED化合物半导体，拓荆科技尚未涉足；北方华创的 CVD 设备主要为管式 APCVD、管式LPCVD，技术原理不同、应用于晶圆制造的工序不同。北方华创 PE ALD 的 PECVD 产品主要应用于光伏、LED 等领域。北方华创的 ALD 产品为 Thermal ALD 设备，采用热反应原理，主要沉积金属化合物薄膜，用于 HKMG 工艺。拓荆科技 ALD 是 PE ALD，采用等离子原理，主要沉积介质薄膜，用于 SADP 工艺和 STI 工艺，因此，拓荆科技与中微公司、北方华创不存在直接竞争关系。

五、财务状况

公司 2021 年的营业总收入为 7.58 亿元，同比增长 73.99%；归母净利润为 0.68 亿元，同比扭亏为盈，其中非经常性损益为 1.5 亿元，占比较高。

公司 2018-2022H1的毛利率分别为 31.67%/31.85%/34.06%/44.01%/46.76%，净利率分别为-146.12%/-7.71%/-2.69%/8.83%/20.37%，毛利率和净利率整体呈上升趋势。

公司 2021 年 PECVD 设备收入为 6.75 亿元，在总营收中的占比为89.1%；SACVD 设备收入为 0.41 亿元，在总营收中的占比为 5.4%；ALD 设备收入为 0.29 亿元，在总营收中的占比为 3.8%。2021 年，PECVD 设备的毛利率为 42.6%，2018-2021 年逐年上升；SACVD 设备和 ALD 设备的毛利率分别为63.0%和 44.2%。