铲子:苏大维格
公司自主研发的直写光刻、投影式扫
描式光刻及纳米压印光刻等各类光刻
设备,可用于掩模、光栅、AR/AR-
HUD波导镜片、透明传感器件、光子
芯片、MEMS器件、射频器件、三代半
导体、裸眼3D显示、微纳3D打印、光
伏电镀铜图形化等产品或领域。光刻
设备是公司的重点业务拓展领域，今
年公司各类光刻设备订单同比增幅较
大，带动上半年设备销售收入同比增
长约950%。
与传统的光刻技术相比，纳米压印光
刻占有很大的优势:
首先，纳米压印技术不需要复杂的光
路系统和昂贵的光源，可以大幅降低
制造成本。纳米压印技术在每小时处
理80片晶圆和80片晶圆掩模寿命下，
相对于其他光刻工艺可降低28%的成
本。随着量增加至每小时90片，并且
掩模寿命超过300批次，成本可降低
52%。此外，通过采用大场掩模来减少
每片晶圆的曝光次数，还可以进一步
降低成本。
同时，纳米压印技术只要预先在掩膜
上制作好图案，即使是复杂结构也能
一次性形成，同时也避免了传统光刻
工艺中的多次重复曝光，进一步提升
了成本优势。据日经中文网报道，纳
米压印能省掉成本巨大的光刻工序的
一部分，与极紫外光刻相比，能将该
工序的制造成本降低4成，耗电量降低
9成。
工艺相对简单，生产可控性好
纳米压印的模板比光刻机用的掩膜版
图案设计更简单，压印出来的图案尺
寸完全由模板上的图案决定，所以不
会受到传统光刻胶技术中光源波长、
光学衍射的限制和影响。与光刻设备
产生的图案相比，它可以以更高的分
辨率和更低的线边缘粗糙度(LER)再
现5nm以下的特征尺寸，纳米压印技
术再现了更高分辨率和更大均匀性的
图案,而且工艺相对简单。