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华为汽车800V碳化硅芯片国内唯一供应商,600509天富能源是最佳题材补涨股。
天天爸爸
2023-11-28 11:11:59

一、碳化硅功率芯片成为800V高压平台的最核心部件,是未来新能汽车发展主流。

800V新车型催化不断、碳化硅是最核心部件深度受益。华为智界S7、理想MEGA、小鹏G6、智己LS6800V新车型不断推出,800V俨然成为纯电新车型标配,而碳化硅作为800V最核心部件将最大受益。海外巨头一致看好碳化硅长期发展、大幅扩产。23年以来英飞凌、博世、安森美、意法半导体等国际巨头累计投资120亿美金扩大碳化硅产能,海外半导体企业历来资本开支保守,大规模capex投资意味着碳化硅是各龙头一致看好的长期确定方向。

全新华为“巨鲸”800V高压电池平台、业界最薄800V高压电池包、全新一代DriveONE800V高压碳化硅动力平台都在智界S7上实现了首发,智界S7一周时间预订也超过了3万台。以SiC为核心的800V强电系统,将在主逆变器、电机驱动系统、DC-DC、车载充电器(OBC)以及非车载充电桩等领域迎来规模化发展,近期华为携手奇瑞发布智界S7电动汽车,该车搭载了全新一代DriveONE 800V高压SiC黄金动力平台,使得车辆在加速和行驶过程中能够获得更强的动力输出和更高的响应速度。

800V车型密集发布,碳化硅是800V高压快充标配。碳化硅耐高压特性适配800V高压快充车型,同时SiC方案可实现新能源汽车三电系统降本、增效。23年有小鹏G6、极氪X、智己LS6等多款20-25万元价格段的标配碳化硅车型上市,可见新势力车企的高性能策略已强势拉动碳化硅渗透,未来仍将有同价格段车型如极氪007等上市。比亚迪的易四方技术平台全系车型都将标配800V高压SiC电控,最高效率可达99.5%。随着下游SiC车用渗透率不断提升&单车用量提升,我们预计到20256寸碳化硅衬底新增市场空间约380亿元,2023-2025CAGR78%

    华为DriveONE800V高压碳化硅动力平台唯一车规级电机主驱MOSFET碳化硅功率芯片衬底供应商是北京天科合达,另外也是华为汽车DC-DC、车载充电器(OBC)、快充逆变器碳化硅芯片衬底供应商。天科合达碳化硅产的全球市占率排名第二,国内排名第一。 

二、天科合达是国内碳化硅产业寡头垄断的绝对龙头企业,买入600509天富能源是最佳题材补涨股。

600509天富能源参股碳化硅芯片衬底全球市占率排名第二的天科合达公司9.09%股权(目前股权价值30亿),202211月份天科合达股权估值为180亿元,23年底预估融资股权估值估计为340亿元,当前天富能源市值只有80多亿并且公司本身估值很便宜只有15PE。天科合达是国内唯一一家技术自主且独占SiC产业链75%份额利润的企业,包括了碳化硅单晶炉、8英寸碳化硅衬底和碳化硅外延全部自主量产。

早在2006年,天富能源与中科院物理所共同成立北京天科合达半导体股份有限公司,公司最初持有该天科合达51%股权,后经历多轮增资扩股等股权变化,现在天富能源持有天科合达9.09%股权为第二大股东,母公司天富集团持有天科合达11.6%股权,为第一大股东,两者为一致行动人,共持有天科合达20.7%股权。另外天科合达股东还有中科物研所5.6%,宁徳时代4.7%,厦门中和致信3.8%,国家基金3.7%,高瓴4.6%,华为哈勃3.5%,以及比亚迪等等,管理层总计持股20%左右。

乘着碳化硅半导体发展的大好形势,在碳化硅行业沉淀和积累了十多年的天科合达终于迎来了飞速发展,创造了2017—2022年,连续六年年复合增长率超过90%的发展业绩。公司现已累计服务国内外客户500余家,累计销售导电型碳化硅衬底材料60余万片。大量出口台湾、欧美和日本等20多个国家和地区,主要国内第一大客户为华为,其它还有中电科集团、中芯国际、国家电网、中国中车、比亚迪、小米汽车,大陆外第一大客户为英飞凌,其他还有Onsemi、博世、Win等。20235月公司与英飞凌签订了长协合作,8月通过英飞凌车规认证。

华为是天科合达最核心客户,一则报道配图透露 现场直击,走进大兴企业,看新年首个工作周景象—— (bjnews.com.cn)

 

三、权威报告发布,碳化硅行业一目了然。

以碳化硅为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一,可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。近期,国际著名研究机构YOLE集团发布报告《Power SiC 2023  Market and Technology Report 》,从YOLE集团报告中可以看出,20212022年,全球碳化硅衬底市场增长实现快速增长,在2022年全球衬底市场规模达到6.92亿美元。2022年天科合达导电型碳化硅衬底的营收达到8760万美元(6亿左右),营收占全球总营收达到12.8%,较2021年倍数提升。22年天岳先进导型碳化硅衬底电营收1710万美元(1.2亿)。另外,天科合达导电衬底2022年在国内占据60%左右的市场份额,山东天岳占据12%的市场份额。2023年底天科合达导电型碳化硅衬底的营收达15亿元左右(量产30万片),国际市场占有率将达30%左右,全球排名第二。23年底天岳先进导型碳化硅衬底电营收达9亿元左右(量产18万片)。预计2024年天科合达达产50万片,天岳先进达产30万片。

 

    
随着生产工艺逐渐成熟、规模效应凸显与客户资源积累,天科合达产品良率以及产量在2023年快速上升增长30%,综合良率在65%-70%左右。22年公司的厚度大概可以做到20~30mm之间,23年全线可以做到30~40mm之间每年增加30%左右,产能随技术水平提升,2024年达50万片衬底。 量产能力提高使产能快速扩大。2388日上午,全资子公司江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目开工活动在徐州市经济开发区成功举办。江苏天科合达二期项目将于20248月达产16万片产能,届时江苏天科合达总产能将达到23万片。以外,还加快备案布局三期100万片外延片项目。

今年下半年,天科合达营收首度突破10亿元大关,截至今年10月份,公司营收已经较去年全年翻一番,预计2023年营收15亿左右。预计2023年公司导电型晶片全球市场占有率排名第二、国内占有率排名第一。202211月发布8英寸新品,2023年底实现小批量产,国内唯一量产企业。202310月份深圳天科重投一期6英寸10万片碳化硅衬底及25万片碳化硅外延片开始投产。20235月参股天科合达一级市场投后估值为190 亿元,按19万片碳化硅衬底产能估值。预计20244月可以成功申请科创板上市或者借壳天富能源平台上市。

 
 

      天科合达从2006年开始经历了2寸、4寸碳化硅衬底技术的突破和积累,现在已经实现了6寸碳化硅衬底产业化,到23年底8寸碳化硅衬底正式投产量产(23年开始已经小批量产,且6寸切换8寸只要换热场就行,其单晶炉为自研自产产品。)

    2023年量产产量达到30万片衬底、10万片外延!其中北京一期12万片衬底、徐州一期7万片衬底、深圳一期10万片衬底、10万片外延(总产能25万片外延)。明年初,我们就可以赶超世界第二,向着世界第一的长期战略目标进发。至26年产能规化达到125片衬底、125片外延为世界第一的目标。2020年量产数据表明天科合达毛利润率超过35%,净利润率超过20%



四、科学家引领技术突破,国产自主研发量产

2023中国科学院年度创新人物提名陈小龙是天科合达首席科学家,是国产化碳化硅晶片的开路人。

中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室陈小龙研究员带领团队攻坚克难 20 余年,在国内最早开展成果转化,创建了国内第一家碳化硅晶体产业化公司,实现了我国碳化硅晶片产品从无到有,突破了国外对我国碳化硅晶体生长和加工技术的长期封锁,带动了我国碳化硅材料、器件和模块产业链的快速发展。

自主创新,突破关键核心技术

20世纪90年代末,只有美国等少数几个发达国家掌握2英寸晶体生长技术,应用于制造先进雷达、航空航天等,但对我国实施严格的技术封锁。自1999年以来,陈小龙带领团队从零开始,立足自主创新,开展碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。经过20多年的科研攻关,陈小龙攻克了晶体扩径这一公认的难题,稳定生长出高质量的2~8英寸碳化硅晶体,解决了产生相变、微管等致命缺陷的问题。陈小龙团队还发明了等面积多线切割技术,新型研磨液和抛光液,大幅降低了加工成本。团队在碳化硅晶体生长与加工技术方面获授权专利29项(国际发明专利6项)。

厚积薄发,从基础研究走向产业化

经过长期的基础研究阶段积累,2006 年,陈小龙在无经验可借鉴的情况下,创办了国内第一家碳化硅晶体产业化企业北京天科合达半导体股份有限公司(简称天科合达),建立了完整的碳化硅晶片生产线。在产业化过程中,陈小龙带领团队持续降低碳化硅晶体缺陷密度,提高晶体质量,产品各项技术指标均达国际先进水平。天科合达向国内100多家科研机构和企业批量供片,产品被应用于某重大工程型号中。近三年晶片累计销售11.4亿元,取得了良好的经济和社会效益。天科合达在导电型碳化硅衬底供应商中市场排名国内第一、国际第四,2022 年国际市场占有率在 12.8% 左右。2024年初国际市场占有率将达30%左右,全球排名第二。

锲而不舍,力争取得新的突破

碳化硅晶体的国产化,满足了国家重大需求,带动了中车、国网、泰科天润等 20 余家国内企业进入下游器件、封装和模块产业,促使国内形成了完整的碳化硅半导体产业链,带动了我国宽禁带半导体产业的发展,使得我国的新能源汽车和光伏等产业进入世界前列。陈小龙因在碳化硅研究方面取得的突出成就而获得中国科学院科技促进发展奖和中国发明协会发明创业特等奖。

陈小龙将带领团队继续专注于提高碳化硅晶体的质量,降低成本,实现8英寸碳化硅衬底规模化生产。几年前他已带领团队研发新的液相法碳化硅晶体生长技术,并在国际上首次生长出性能更加优异的立方碳化硅晶体,今后将向产业推广,为更稳定性和可靠性功率器件奠定坚实基础,力争为我国宽禁带半导体相关产业做出新的更大贡献!


作者在2023-11-28 11:20:36修改文章
作者利益披露:转载,不作为证券推荐或投资建议,旨在提供更多信息,作者不保证其内容准确性。
声明:文章观点来自网友,仅为作者个人研究意见,不代表韭研公社观点及立场,站内所有文章均不构成投资建议,请投资者注意风险,独立审慎决策。
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  • 只看TA
    2023-11-29 10:17
    涨停了,市场认可
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  • 瞧一瞧看亿看
    躺平的小韭菜
    只看TA
    2023-12-01 14:33
    真牛比 


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  • 只看TA
    2023-11-30 07:57
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  • 铁柱炒股
    不讲武德的游资
    只看TA
    2023-11-30 07:49
    华为碳化硅
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  • RayZ
    下海干活的龙头选手
    只看TA
    2023-11-28 22:50
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  • 只看TA
    2023-11-30 08:45
    ②碳化硅:对比在400V平台中用的硅基IGBT,800V平台中碳化硅基MOSFET,可使整体系统效率提高8%,相同规格的后者尺寸仅为前者1/10,随着多家车企800V平台落地,SiC上车已大势所趋。
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