财联社8月12日电，美国商务部周五发布一项临时最终规定，对设计GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路所必须的ECAD软件；金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料；燃气涡轮发动机使用的压力增益燃烧(PGC)等四项技术实施新的出口管制。小财注：GAAFET晶体管技术是相对于FinFET晶体管更先进的技术，FinFET技术最多能做到

3nm，而GAAFET可以实现2nm。氧化镓(Ga2O3）、金刚石则是被普遍关注的第四代半导体材料。

院士带你了解宽禁带半导体材料 

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以SiC/GaN为代表的宽禁带半导体已逐渐在5G通信、汽车电子、快速充电等方面得到大量应用。与此同时，研究人员和相关企业仍在研究开发其他的宽带隙材料。金刚石、氮化铝和氧化镓等具有更宽的禁带宽度，被称为超宽禁带半导体，未来有可能用来制造具有更低电阻、更高工作功率、更高耐温的功率器件，因此研发热度一直不减。近来，持续有关于金刚石研发进展的消息传出，涉及大尺寸金刚石晶圆制备、金刚石材料的N 型掺杂以及金刚石器件研究等多个关键环节，显示金刚石作为新一代宽禁带半导体材料的现实应用也将迎来曙光。