碳化硅行业深度报告：多应用驱动供给缺口巨大，碳化硅产业链加速
涨老师
2022-08-18 07:59:14
第三代半导体在高频高压场景优势明显，碳化硅为核心材料。第三代半导体材料具有禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点，在高频、高压、高温等工作场景中，有易散热、小体积、低能耗、高功率等明显优势。碳化硅已成为目前应用最广、市占率最高的第三代半导体材料，碳化硅器件全球市场规模超过10亿美元。多应用领域驱动需求爆发，供给侧缺口巨大。碳化硅器件在电动汽车、光电新能源、轨道交通等领域均存在广泛应用前景。碳化硅市场快速增长的两大驱动力：1）新能源汽车加速渗透，800V高压快充平台加速布局，拉动车用碳化硅器件需求，我们测算2025年全球新能源车车用6英寸碳化硅晶圆市场空间将达143亿元；2）风光储拉动碳化硅器件需求，我们测算2025年全球风光储新增装机量将达687GWh，带来44.5亿元6英寸碳化硅晶圆需求量的增长。从供给端来看，碳化硅衬底、外延材料制作难度大，碳化硅产业链产能受限，全球厂商持续投入，但仍存在巨大供给缺口。各环节技术壁垒高海外龙头垄断，产业链加速国产替代。SiC衬底占产业链主要价值量，具有极高制造难度，得益于国内政策大力扶持，衬底领域出现良好国产替代契机。SiC外延设备仍呈现四大龙头垄断格局，国内厂商紧追国际前沿加速切入外延晶片生产领域，已具备较高生产水平并逐渐接近海外领先水平。新一代半导体材料促使全新的封装工艺产生，有望带来价值量的提升。SiC功率器件时代来临，国内企业紧握超车机会，SiC器件和Si器件价差不断缩小，国产替代进程有望进一步提速。相关公司梳理：看好碳化硅国产替代进程，建议布局产业链相关机会。全球碳化硅行业存在巨大供给缺口，国内多项政策扶持利好相应国产厂商，国内上下游厂商积极布局扩产，有望持续加速抢占全球市场份额。建议关注碳化硅领域产业链各环节投资机会，建议关注三安光电（碳化硅全产业链IDM，配合国际大客户验证相关产品）、斯达半导（SiC车规主驱模块性能领先，获得多家车企客户定点）、天岳先进（SiC衬底获得大规模订单，有望进入车规应用）、时代电气（高压电驱平台突破，大功率碳化硅主驱产品C-Power发布）、士兰微（IDM龙头厂商，快速上量SiC芯片生产线）、东尼电子（SiC衬底产能突破，加速国产替代）、露笑科技（SiC衬底产能加速扩张）、北方华创（SiC长晶炉设备领域龙头）等。风险提示：下游需求不及预期、扩产速度不及预期、竞争格局加剧
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