DRAM涨价潮即将来临，三星、美光等存储器大厂，正规划今年第一季将DRAM价格调涨15%-20%，从1月起执行，借此催促客户提前规划未来使用需求量，且已有厂商透露收到三星的涨价预告。业内预期，2024年上半年将重点上调DDR4和DDR5的价格，本轮内存价格的上涨趋势预计将持续到2024年底。相关标的：上海复旦(01385)、中芯国际(00981)、华虹半导体(01347)。

业界分析认为，此举主要是为了改善盈利状况，其中价格上涨的重点将从NAND Flash转移到DRAM，尤其是DDR4和DDR5这两种类型的DRAM，本轮内存价格的上涨趋势预计将持续到2024年底。由于先前DDR4的库存偏高，且市场价格表现疲弱，预计2024年上半年将重点上调DDR4和DDR5的价格。

2023年12月DRAM的报价仅微幅上调了2至3%，但仍然明显低于3D TLC NAND 10%的涨幅。至于DDR3，由于产能和需求相对稳定，其价格涨幅预计相对平缓，而NAND的涨幅虽然尚未明确，但预计将继续上调。

业界预期，随着上游原厂酝酿提价DRAM，多家存储器模块业者各自收到风声启动备货，预计供货给OEM厂的合约价可望延后一个季度跟进，即二季度起将全面反映DRAM涨势。

对于上游原厂计划在一季度启动DRAM补涨行情，存储器模块业者表示并不意外。随着手机和服务器需求逐渐回升，预计2024年DRAM市场的供应将继续紧张。目前市场需求尚未恢复稳定，DRAM报价调涨仍然由上游原厂主导，行业已有预期，近月来已陆续回补低价库存。

大摩指出，人工智能需求将进一步提振存储芯片价格，虽然人工智能应用程序大部分都部署在云端，但从2024年开始，边缘需求将变得越来越普遍(移动人工智能)，并可能逐渐进入智能手机升级周期。

随着每股收益同比增长加速，内存股往往表现优异，现在刚刚进入周期中期/乐观阶段，DRAM现货价格同比为-16%，距离峰值水平仍有距离。而抛开估值不谈，存储芯片周期已经从2023年第一季度的低点恢复，进入2024年将进一步改善。

展望后续，中信证券预计，12月部分紧缺且对应下游需求复苏较早的产品涨价将持续（如移动存储），库存持续去化的下游环节如传统服务器内存的价格涨势或将相对放缓。随着各原厂持续减产DDR4、行业库存去化、下游服务器市场复苏，预计2024年主流DRAM价格有望持续回升。