涨跌幅:9.99%
涨停时间:11:29:00
板块异动原因:
半导体;三星电子宣布,已成功开发12层HBM3E内存,计划于今年上半年开始量产。
美光科技26日宣布,已开始量产HBM3E,其24GB8HHBM3E产品将供货给英伟达。
个股异动解析:
芯片+集成电路+西藏民爆
1、公司自主研发的电子雷管芯片,在国内暂时没有合作的芯片代理商,电子雷管芯片目前还在国内进行全方位测试。
2、控股51%子公司高争一伊主要业务是集成电路设计,集成电路芯片设计及服务,集成电路销售等。
3、公司主营业务是民爆器材的生产、销售,已在拉萨、林芝等六市一地区设立了民爆器材销售网点、配送网络及储存,形成了覆盖整个西藏的营销网络体系,公司实控人为西藏自治区国资委。
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