2、各环节技术壁垒高海外龙头垄断,产业链加速国产替代。SiC衬底占产业链主要价值量,具有极高制造难 度,得益于国内政策大力扶持,衬底领域出现良好国产替代契机。SiC外延设备仍呈现四大龙头垄断格局, 国内厂商紧追国际前沿加速切入外延晶片生产领域,已具备较高生产水平并逐渐接近海外领先水平。新一 代半导体材料促使全新的封装工艺产生,有望带来价值量的提升。SiC功率器件时代来临,国内企业紧握超 车机会,SiC器件和Si器件价差不断缩小,国产替代进程有望进一步提速。
3、重点看好碳化硅国产替代进程,建议布局产业链相关机会。全球碳化硅行业存在巨大供给缺口,国内多 项政策扶持利好相应国产厂商,重点推荐: 三安光电(碳化硅全产业链IDM,配合国际大客户验证相关产品) 斯达半导(SiC车规主驱模块性能领先,获得多家车企客户定点) 建议关注:天岳先进(SiC衬底获得大规模订单,有望进入车规应用)、时代电气(高压电驱平台突破,大 功率碳化硅主驱产品C-Power发布)、士兰微(IDM龙头厂商,快速上量SiC芯片生产线)、东尼电子(SiC 衬底产能突破,加速国产替代)、露笑科技(SiC衬底产能加速扩张)、北方华创(SiC长晶炉设备领域龙 头)等。