异质结/钙钛矿交流大会-韭研公社

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异质结/钙钛矿交流大会

小路J

2022-09-02 17:56:55

第四届异质结&钙钛矿交流大会要点一（持续更新）！【长江机械-赵智勇团队】
1、正表面微晶掺氧、背表面非晶，今年全面进入产业化，效率达到25%。下一步，背表面P层也做成微晶或纳米晶，效率可进一步提升0.5%，预计今年底或明年初量产。金属化工艺铜电镀是未来技术，分两步走，先在HJT背表面做成全铜，解决电镀问题；之后做双面铜栅线。铜替代银后，会继续进行铟替代，最后做到无铟、无银。再往后是HBC。

2、硅片减薄：HJT最适合薄片化，现在硅片厚度到90μm、80μm，HJT效率才会明显下降，跟PERC比有优势。高开路电压和较好的钝化效果可以抵消薄片化带来的开路电流下降。今年晚点或明年初，华晟将导入130μm，目前实验的130/135μm厚度电池片在组件端功率反而会提升。金刚玻璃硅片厚度降到130μm，对印刷和碎片率没有大的影响。

3、银浆降耗：主要是电镀铜、银包铜替代、激光转印、SWCT等方法。今年HJT银浆耗量已降到140mg/片，可进一步降到120-130mg/片。金刚玻璃银包铜可靠性收尾，Q4会应用。

4、电镀铜：传统光刻技术，干膜+光刻+种子层+镀铜，成本较高。现在华晟方案是种子层之上用丝印代替光刻，栅线部分印光刻胶膜做遮挡，上面再镀二氧化硅层，然后用有机溶剂祛除光刻胶膜，露出种子层，再在种子层上镀铜。现在Sun Drive开发直接在ITO镀铜，但技术困难。

5、ITO优化：在ITO上面做氮化硅盖帽层，来减少ITO用量。1）ITO没必要那么厚，可以用氮化硅来弥补减反。2）用AZO,单用不行，要在AZO上镀ITO或氮化硅，效率与ITO接近。

6、紫外光衰问题用高截止膜解决，或用转换膜（把紫外光变成可见光），相比高截止膜功率多5-6W，加反光条设计，功率再高3-5W。现在M6&72片组件基准功率为475W，后续可超过500W。

7、HBC：现在做的少，TBC（爱旭和隆基）率先发展。微晶硅的横向导电性很差，不用把P型和N型的非晶硅或纳米硅隔开,在N型上面做一层P型，存在复合导电现象。国外研究较多，比如德国的斑马技术，松下和夏普的方案难度很大。从流程看，BC类电池简化后的产业化流程也有17、18步，比HJT的4-5步多很多，更复杂。

8、华晟目前最好批次的平均效率达25.4%、单片最高效率超25.6%，严格的标准效率是24.5%，2-3个月会调试更高。

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联系人：赵智勇/臧雄/刘晓舟

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