碳化硅产线加速推进,产品验证同步进行。
子公司士兰明镓碳化硅产线规划SiC MOSFET芯片12万片/年、SiC SBD芯片2.4万片/年,22年四季度SiC芯片产线已实现初步通线,并形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。目前公司已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,汽车主驱功率模块已向客户送样;预计23年年底有望形成月产6000片6英寸SiC芯片的产能。