事情的起因：
算力炒作到鱼尾之后发酵到存力，早在美光消息出来之前，存力也有所表现，现有导火索直接引爆。
再看看行业新闻：
百位存储直接走出6亲不认的步伐，这个名字一听就是和存储有关，那么我们先看看这家伙到底是干什么的，打开同花顺F10仔细研究一下。
截至 2022 年 12 月 16 日（T-3 日），主营业务及经营模式与发行人相近的 可比上市公司市盈率水平具体如下：
OK，没看懂嵌入式存储啥意思，那么看看同行的。
先看主营构成
兆易创新：存储芯片占比接近6成；
江波龙：存储业务100%。
OK，找到了，还是不知道嵌入式存储干什么的，但移动存储应该和上面的消费级存储一个概念，固态硬盘对应的是工业级存储？看了看利润赔钱货，这个占比越低越好。
继续翻看江波龙经营报告。
找到了，嵌入式存储针对的大部分是消费电子。
江波龙：主营就是嵌入式存储（NAND FLASH，DRAM），SSD，U盘，内存条；
603986兆易创新：主营闪存芯片（NOR Flash、NAND Flash）和动态随机存取存储器（DRAM），MCU
兆易创新的经营报告看起来比较科学，继续翻看。
重点看看DRAM的解释吧：
III．DRAM即动态随机存取存储器，是当前市场中最为重要的系统内存，在计算系统中占据核心位置，广泛应用于服务器、移动设备、PC、消费电子等领域。因极高的技术和资金壁垒，DRAM领域市场处于高度集中甚至垄断态势。公司首款自有品牌DRAM产品已于2021年6月推出，实现了从设计、流片，到封测、验证的全国产化，在满足消费类市场强劲需求的同时，助力国产自主供应生态圈的发展构建。该产品主要面向消费类、工业控制类及汽车类等市场领域，应用于机顶盒、电视、监控、网络通信、智慧家庭、平板电脑、车载影音系统等诸多领域。
（3）在DRAM芯片市场方面，根据闪存市场（CHINA FLASH MARKET，CMF）预测，2021年全球DRAM市场规模约945亿美元。根据Trendforce统计，2021年全球利基型DRAM市场（消费、工控等）规模约90亿美元，未来随着下游各类应用的稳定发展，利基型DRAM市场规模将保持增长趋势。公司积极切入DRAM存储器利基市场，与长鑫存储密切合作，2021年6月推出首款自有品牌DRAM产品，在消费电子（包括机顶盒、电视、智能家居等）、工业安防、网络通信等领域取得较好的营收，并持续推进规划中的其他自研产品。
再看营收第二的微控制器：
（2）公司微控制器产品（Micro Control Unit，简称MCU）主要为基于ARM Cortex-M系列32位通用MCU产品，以及于2019年8月推出的全球首颗基于RISC-V内核的32位通用MCU产品。GD32系列MCU采用了ARM Cortex-M3、Cortex-M4、Cortex-M23、Cortex-M33和RISC-V内核，在提供高性能、低功耗的同时兼具高性价比，公司产品支持广泛的应用，如工业应用（包括工业自动化、能源电力、智慧城市、医疗设备、安防监控等）、消费电子和手持设备、汽车电子（包括汽车导航、T-BOX、汽车仪表、汽车娱乐系统等）、计算与大数据、通信等。
RISC-V单独重点是看到阿里平头哥的架构包含这个字眼。
核心竞争力：
公司第一颗自有品牌的DRAM产品（19nm，4Gb）已于2021年6月量产，主要面向利基市场。公司规划中的DRAM产品包括DDR3、DDR4、LPDDR3、LPDDR4，制程在1Xnm级（19nm、17nm），容量在1Gb~8Gb。目前17nmDDR3首颗产品正在按计划积极推进，预计2022年9月左右即将量产向市场推出。公司后续将继续在17nm工艺制程投入其他产品研发，不断丰富完善产品线。在利基市场，公司DRAM产品在工艺制程上保持代差优势，有利于降低产品成本。公司与长鑫存储的紧密合作关系，为公司DRAM产品提供稳定产能保障。同时，依托于多年积累的、完善的销售网络和技术团队，公司能够为客户提供快速的本地化服务响应和技术支持。
回到正题，能不能按照百位存储再挖掘挖掘呢？
我们按照主营业务一个个看过去。
688008澜起科技：互连类芯片产品（主要包括内存接口芯片、内存模组配套芯片、PCIe Retimer芯片、MXC芯片等），津逮服务器平台
公司主要产品内存接口及模组配套芯片、PCIe Retimer芯片、MXC芯片、津逮CPU以及混合安全内存模组主要应用于服务器，因此，服务器行业的发展情况与公司业务紧密相关。
根据Gartner发布的报告显示：2022年第一季度，得益于超大规模数据中心的强劲需求以及疫情压制的企业市场的复苏，全球服务器市场高速增长，整体出货量为330.5万台，同比增长20.7%。
全球DRAM行业市场90%以上的市场份额由三星电子、海力士及美光科技占据，他们也是公司内存接口芯片及内存模组配套芯片主要的下游客户。
根据JEDEC组织的定义，在DDR5世代，服务器内存模组上除了需要内存接口芯片之外，同时还需要配置三种配套芯片，包括一颗SPD芯片、一颗PMIC芯片和两颗TS芯片；普通台式机、笔记本电脑的内存模组UDIMM、SODIMM上，需要配置两种配套芯片，包括一颗SPD芯片和一颗PMIC芯片。
PCIe Retimer芯片：公司是全球可量产PCIe4.0Retimer芯片唯一的中国公司。公司PCIe5.0Retimer芯片的研发进展顺利，有望成为国内首家可提供PCIe5.0Retimer芯片的厂家，以及该细分领域中全球的重要供应商之一。
津逮服务器平台：是公司面向中国市场设计的本土服务器平台解决方案，其技术具有独创性、先进性，且该产品线可持续更新迭代。津逮服务器平台产品线2022年上半年实现销售6.90亿元，较上年同期增长17.3倍。该平台具备芯片级实时安全监控功能，可在信息安全领域发挥重要作用，为云计算数据中心提供更为安全、可靠的运算平台。此外，该平台还融合了先进的异构计算与互联技术，可为大数据及人工智能时代的各种应用提供强大的综合数据处理及计算力支撑。
688766普染股份：NOR FLASH，EEPROM，MCU，
2、基础工艺技术授权到期风险
公司已付费购买赛普拉斯的40nm和55nmSONOS工艺的授权，授权截止时间为2028年12月31日，用于公司NORFlash产品的研发设计。赛普拉斯因被英飞凌收购，自2020年1月1日起，其与公司就SONOS工艺的授权协议所约定的权利义务均转移至英飞凌继续履行。
获得第三方公司知识产权许可或引入相关技术授权是集成电路的行业惯例。同时，赛普拉斯授权使用的SONOS工艺技术属于集成电路领域广泛使用的基础性技术平台，但如在授权有效期截止前赛普拉斯终止该授权合作或到期后赛普拉斯不再与公司就该授权合作进行续期，公司将无法进行SONOS工艺下的NORFlash研发设计及生产，将对公司的正常经营造成不利影响。
NORFlash市场中，由于NORFlash市场规模相对较小且竞争日趋激烈以及DRAM、NANDFlash需求爆发，国际存储器龙头纷纷退出中低端NORFlash市场，产能或让位于高毛利的高容量NORFlash，或转向DRAM和NANDFlash业务。美光和赛普拉斯分别在2016年和2017年开始减少中低端NORFlash存储器产品产能。
688012中微公司：CCP刻蚀设备、ICP刻蚀设备
CCP刻蚀设备：在存储器件方面，公司的刻蚀设备不仅在3DNAND的生产线被广泛应用，还成功的通过了多个动态存储器的工艺验证，并取得了重复订单。
ICP刻蚀设备：上述NanovaVE和NanovaUE设备的推出，拓展了公司单台机ICP刻蚀设备Primonanova家族的适用工艺制程，在全面满足55nm，40nm和28纳米逻辑芯片制造中的ICP刻蚀工艺的基础上，拓展了在DRAM、3DNAND存储芯片和特色器件等芯片制造中的可刻蚀应用范围。
根据Gartner统计，2022年全球刻蚀设备、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约22%、22%和17%。
由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备已取代光刻机成为最关键、最核心的设备。
688120华海清科：长江存储为第一大客户，CMP（化学机械抛光设备唯一提供商）
688110东芯股份：NAND,NOR,MCP,DRAM
NAND FLASH广泛应用于如5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块；
NOR FALSH普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域；
DRAM主要是DDR3，在研的LPDDR4x进度符合公司预期，主要针对基带市场和模块类客户，预计今年可以为客户提供样品。
688072拓荆科技：半导体薄膜设备头部厂商
300223北京君正：8GLPDDR4已完成工程样品的生产并开始向客户送样；车规SRAM和车规DRAM在全球车规细分市场均名列前茅；
