根据公司2022年年报披露：化合物半导体材料锑化镓（GaSb）、锑化铟（InSb）、碲锌镉（CdZnTe）初步产能建设完成，GaSb 单晶实现低位错大尺寸产品研发，已给部分客户送样验证，并接到小批量订单。

       根据2022年半年度报告：公司于 2021 年成功研制出 13N 超高纯锗单晶，突破了国外长期对超高纯锗的垄断。化合物半导体材料锑化镓（GaSb）、锑化铟（InSb）、碲锌镉（CdZnTe）初步产能建设完成，GaSb 单晶实现低位错大尺寸产品研发，已给部分客户送样验证，并接到小批量订单。