Q:长鑫HBM 的进展和后续节奏?
A:国内目前仅有长鑫有实际产品。2020年10月开始规划，找了通富和长电，和长电的合作项目在 23年1月取消，只有通富继续合作。23年5月中下旬成功在通富微电生产出国内首批基于3D封装的HBM颗粒,规格是8层堆叠HBM2容量 8GB。2401有一批产品在生产，预计3月中旬完成晶圆到封测，出货量1k顆 8Hi8GB HBM2，作为最终产品由长鑫销售或送样。长鑫下一步规划在 23H1已经在通富同步开展，HBM2E还是8层方案，项目周期持续至 26H2。根据现有项目安排，HBM2 的终端需求逐渐缩小，预计24Q4会有 10w颗出货，之后不再做HBM2，25Q1开始小批量HBM2E。

Q:国内其他 DR­AM 厂商有做HBM 的计划吗?A:国内仅有长鑫+通富一条产线正在生产,长鑫做设计和晶圆制造,通富做封测。还有一条生产链是由H牵头，23年10月份立项，现在形成一个小团队，设计端是H，流片是福建晋华和北京开维旭，封测端是盛合晶微和长电微电子。计划24H1 晶圆流片，H2 封测端封装导入，25年不断调试，26Q3 推出最终产品，项目定义基于 12Hi HBM3，可能先做 4/8Hi。

Q:国内产能的规划?

A:(Co­W­oS 产能和 HBM 产能等比互换，产线互通,1 顆 Co­W­oS 芯片=4 颗HBM 芯片)通富现有 Co­W­oS 产能 5k颗1月(折合HBM 产能 2w颗1月，目前实际运行 1k1月)，今年年底完成量产线建设后，产能至少200w颗/年，一共206W颗/年。盛合晶微现有产能 160w颗1年，到今年底280w颗1年。长电微电子现有产能 0，到今年底 6W颗1年。甬砂电子到25H1 形成一条 6W颗/年产线。

太极实业公司与海力士成立合资公司海太半导体，与SK海力士签订有《第三期后工序服务合同》，自2020年7月1日至2025年6月30日，以"全部成本+约定收益(总投资额的10%+超额收益)“的盈利模式为SK海力士及其关联公司提供半导体后工序服务，后续将有望承接HBM3封装订单。公司拥有国内唯一16层DR­AM高堆叠技术储备，子公司太极半导体为长鑫等国产存储提供封装服务。