1、技术背景：离子注入机主要包括高能、中束流、低能大束流三大类，应用场景各异，其中深阱掺杂用高能机，一般的阱和阈值电压调节用中束流，源漏掺杂采用低能大束流。在逻辑领域，先进制程下离子注入步骤需求量快速增加，14及7nm部分离子注入需求可能被外延等工艺取代。离子注入设备通用性较强，一方面体现在三种机型底层架构互通，底层设计思路大体相似，另一方面体现在逻辑&存储对于离子注入设备的应用差异性不大。

2、市场需求：1）逻辑：以40-28nm产线为例，1万片月产能产线中，中束流需要3-4台，大束流需要5-7台，高能机需要1-2台。产品单价方面，中束流单价约2000万元，低能大束流接近3000万元，高能注入机大概5000万元。2）存储：以3D NA­ND产线为例，对于离子注入工艺的需求量和40-32nm逻辑相近，由于存储堆叠层数较多，对于刻蚀、薄膜沉积的增量需求较多，离子注入设备价值量占比被挤压，低于逻辑。

3、竞争格局： AM­AT和亚舍立两家在国内离子注入机市场占比合计70%-80%，其余主要由少量日本企业与AI­BT供货。国内供应商中，主要包括凯士通与中科信两家：1）凯世通：以低能大束流和高能机为主，技术实力可以攻克28nm以下包含14nm制程。 2）中科信：主推中束流，下游包括8寸和12寸，覆盖逻辑、功率器件，扩产节奏较慢。