今天继续深挖了一下联特科技，发现很多预期差的技术和逻辑今天主要讲讲低功耗薄膜铌酸锂 (TFLN)+SiP技术
耗薄膜铌酸锂 (TFLN)
随着5G、6G、物联网、人工智能、云计算等新一代信息技术的不断发展，全球通信流量呈指数增长，光通信网络面临巨大压力。当今光通信网络面临两大危机：一是由全球IP流量持续指数增长带来的容量/带宽危机，二是由通信技术日益增长的耗电量带来的能耗危机。电光调制器在光通信系统中的角色是“承上启下”——承接电域信号处理和光域信息传输，将数据从电域编码至光域。
由于铌酸锂（lithium niobate, LN）具有飞秒量级响应速度的线性电光效应(泡克尔斯效应)，宽的透明窗口等物理特性，它已成为最受欢迎的电光调制材料之一。基于体铌酸锂晶体的调制器在三十年前已实现商用化，表现出优良的性能。然而传统铌酸锂调制器依赖于弱光学限制的钛扩散或质子交换光波导，这使得它在调制效率、尺寸和带宽上已无法进一步提升。通过在薄膜铌酸锂(TFLN)集成平台刻蚀形成强光学限制的波导，为高性能、小型化电光调制的研发奠定了基础，是助力光通信网络突破带宽和瓶颈的关键技术。
表1 传统铌酸锂调制器与薄膜铌酸锂调制器的关键性能对比
薄膜铌酸锂加持！科学家研制了新型超宽带边缘耦合器：效率创纪录
薄膜铌酸锂 (TFLN) 最近已成为一种多功能纳米光子平台。凭借高光学限制、增强的光物质相互作用和灵活的色散控制等优势，基于 TFLN 的周期性极化铌酸锂 (PPLN) 器件在非线性光学效率和器件尺寸方面均优于传统同类产品。
基于 TFLN 的 PPLN 器件的一个主要挑战是如何实现高效和宽带的片外耦合。由于缺乏有效的宽带耦合方案，整体和片上二次谐波产生 (SGH) 归一化效率（光纤到光纤）对于基于 TFLN 的 PPLN 设备的许多实际应用来说太低了。迄今为止，在 C 波段实现高耦合效率是可能的，但是直到现在还没有开发出可以覆盖近红外（~1550 nm）和近可见光（~775 nm）波长的高效边缘耦合器。
据Advanced Photonics Nexus报道，中山大学和南京大学的研究人员设计并制造了一种超宽带和高效的 TFLN 边缘耦合器。他们发现，由于包层波导和光斑尺寸转换器 (SSC) 结构之间的折射率不匹配，传统的两层耦合器在 775 nm 波段不能很好地工作。
为了解决这个问题，他们设计了一种在 1550 nm 和 775 nm 下工作的高效耦合器。它由一个带有支撑臂的悬浮 SiO 2波导和一个三层 SSC 组成，包括顶层、中层和底层锥形。来自透镜光纤的光被耦合到 SiO 2波导中，然后通过 SSC 传输到 TFLN-rib 波导。三层SSC解决了传统两层耦合器结构在短波长下的耦合问题。测得的耦合损耗在 1550 nm 处为 1 dB/面，在 775 nm 处为 3 dB/面。
(a) 耦合器不同截面处 1550 nm 和 775 nm TE00 模的模拟分布；在波长 (b) 1550 nm 和 (c) 775 nm 处设计的耦合器中模拟模式传播。图片来源：Liu 等人，Advanced Photonics Nexus (2022)
该工作还展示了所设计的耦合器在非线性应用中的优势。它们通过光纤到芯片的耦合方案实现了创纪录的整体 SGH 归一化效率，以及相应的片上二次谐波效率。据报道，与最先进的设备相比，整体归一化效率要高出两到三个数量级。
资深作者、中山大学电子与信息技术学院教授蔡新伦评论说：“提高光纤到光纤 SHG 效率是几乎所有光子学演示的关键方面。它对非线性和量子光子芯片而言，通常被称为适用于下一代光子系统，但耦合损耗非常高。” 该团队预计他们的工作将扩展基于 TFLN 的 PPLN 设备的实际应用。
联特科技的800G光模块有三种方案，包括基于EML、SiP、TFLN调制技术，分别处于小批量生产、样品和研发阶段。基于SiP与TFLN的光电混合集成项目如单波的200G光模块也处于研发阶段
下面是联特科技相关调研：
（十一）公司800G光模块的进展、硅光等技术的进展
公司的 800G 光模块有三种方案，包括基于 EML、SiP、TFLN 调制技术。分别处于小批量生产、样品和研发阶段。基于 SiP 与 TFLN 的光电混合集成项目如单波的 200G 光模块也处于研发阶段
5、CPO的核心竞争力与进展答：
公司已经加入多个国际标准组织参与NPO/CPO的技术规范制定。目前实现了激光器在超高功率和高热应用环境下的封装和测试，并通过了可靠性评估；完成了高密度光电连接的产品设计以及定制化能力建设；正在积极建设核心技术平台，比如各类光学元件与电芯片的共封装工艺的设计和开发平台，应用环境模拟仿真，测试平台等等。
6、800G产品线的最新进展答：
公司的800G光模块有三种技术方案，包括基于EML、SiP、TFLN调制技术。2022年我们已经推出了基于EML方案全系列的800G产品，包括OSFP XDR8/PLR8，OSFP 2FR4/2LR4,QSFP-DD XDR8/PLR8，QSFP-DD 2FR4/2LR4等,预计2023年在客户端完成全面的认证。基于SiP、TFLN调制技术方案的预计在2023年能提供样品。
7、产品上量后面临多大的降价风险答：
一般而言，产品上市后伴随着技术和生产工艺的成熟，市场竞争者数量的增加，价格会有所下降，而进入产品生命周期的中后期，降价幅度会逐步收窄。我们认为产品迭代升级到400G、800G及以上速率后，市场降价的幅度会有所降低。公司持续改善产品的成本，提高产品的市场竞争力，主要措施包括优化BOM成本结构，降低采购成本，提高生产效率等。
8、公司的产线可以快速切换到高速率的产品上吗？
答：模块组装和测试生产线大体上是可以快速从100G切换到400G/800G产品上的。在器件端，D/B、W/B等很多工艺平台也是可以共用的。总体而言，对于技术方案和工艺平台一脉相承或基本相似的产品，产能更容易快速切换，如400G/800G，我们认为，当产品升级到1.6T后，一些产线和工艺平台需要新建。
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