美国商务部BIS制裁事件点评：

事件：美国商务部工业安全局（BIS），通过修改出口管理条例（EAR）对国内超算芯片和半导体制造厂进行出口管制，同时限制美国公民需要申请许可证才可以支持中国半导体制造或者研发，于10.7-10.21依次生效；

主要限制要点如下：

1. 美国的半导体设备在国内如果应用到以下领域，需要申请许可证：

-- 16/14nm及以下工艺节点（非平面架构）的逻辑电路制造；

-- 128层及以上的3D NAND工艺制造；

-- 18nm及以下的DRAM工艺制造；

2. 对中国超级计算机或半导体开发或生产最终用途的项目增加新的许可证要求；

3. 美国公民需要申请许可证才可以支持中国半导体制造或者研发；

我们解读如下：

1. 对于3D NAND及DRAM工艺的精准节点限制，较大程度地增加了国内长江存储及长鑫存储未来扩产的难度，不过也存在一定变数：

-- 长江存储当前实际产能约11万片/月，其中64L及128L的产能分别约为3万片及8万片，未来规划的产能主要以128L及232L为主；

-- 长江存储128L节点及64L节点的工艺差异性主要在层数的薄膜堆叠及高深宽比的刻蚀，涉及到的设备变化主要在于ONON结构的CVD设备及高深宽比刻蚀设备（channel hole及slit等工序），这两大类设备在64L及128L的工艺窗口的临界点较为模糊，精准限制的执行难度较大，但是短期扩产232L的可行性变小；

-- 长鑫存储当前实际产能约7万片/月，皆为19nm节点，未来规划的产能主要以17nm节点为主；

-- 长鑫存储19nm和17nm两代DRAM工艺的设备和flow目前还是公用的，所使用设备的重叠度接近100%，更多是工艺参数的差异，同样精准限制的执行难度也较大，短期仍有扩产的可行性；

2. 对中国超级计算机或半导体开发或生产最终用途的项目增加新的许可证要求：

-- 国内超算相关的芯片在先进代工厂流片可能存在被限制的风险，后续需要再关注；

3. 美国公民需要申请许可证才可以支持中国半导体制造，该项限制涉及范围较广，主要有以下两种情形：

-- 中国半导体公司相关管理及技术人员属于美国公民的，譬如zwgs、smsh、tjkj等管理人员；

-- 中国半导体产业链的相关海外供应商（主要是设备及材料厂商）中属于美国公民的，譬如amat、lam等相关人员；

-- 该项限制没有明确工艺节点，且第一次具体到个人，具体执行方案需要跟踪观察，对行业影响暂时不好判断；

4. 为了避免该规则对于半导体供应链的短期冲击，BIS正在建立临时通用许可证，来允许特定、有限的项目执行；

5. 此次美国BIS出口管制的升级，短期之内对我国存储产业链的扩产以及超算相关的芯片有一定冲击，需要关注后续条例的执行细节及力度，中长期来看，进一步凸显了底层核心供应链国产替代自主可控的重要性；