HBM：这个概念16日周四盘前就提示了，当时认为有很不错的预期差，不过当天没发酵起来。HBM的长期逻辑是不错的，不过周五发酵，周末猛吹的板块在周一都不太去，建议等分歧再看或者沿着HBM延伸找没有发酵的分支去做。

新益昌：实际流通市值32亿，新益昌和华为精密合作，其固晶机也是HBM中很重要和受益的一环。

另外硅通孔技术（TSV）是HBM核心工艺，成本占比接近30%，是HBM封装成本中占比最高的部分，利用该技术才可以实现存储芯片3D堆叠等方面。（HBM封装成本的拆分中，TSV形成的占18%的成本，TSV背面露头的工艺占12%的成本。）

HBM堆叠层数增加和IO密度提高都利好电镀液

强力新材：全球TSV电镀液寡头陶氏杜邦授权合作，规避美国制裁；工厂位于盛合晶微旁边，目前贴牌杜邦电镀液，工厂建设完毕后续自主生产；PSPI送样盛合晶微，预计24年上半年批量出货；

德邦科技：Chiplet用的核心胶膜DAF，目前德国垄断，国内仅德邦科技在研，是国内唯一一家开始通过认证、小批量认证测试的厂家，预计下半年能够打破垄断，实现量的销售。存储的封装、3d、2.5d封装、chiplet都会用到这种材料。　

晶方科技：车规级CIS领域TSV封装技术具备量产能力；

华天科技：基于TSV封装技术的产品已经量产；

大港股份：孙公司苏州科阳从事TSV晶圆封装业务；

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H200最大亮点是首次采用HBM3e，以4.8TB/s的速度提供 141GB 内存，与A100 相比，容量几乎翻倍，带宽增加 2.4 倍。H200将于2024Q2正式发货。H200证明HBM比台积电更重要;英伟达H200充分证明了,就算不添加更多CUDA核或超频,只增加更多的HBM和更快的IO,即便保持现有Hopper架构不变,英伟达依然可以实现相当于架构代际升级的性能提升。

韩国经济日报报道，三星和 SK 海力士正准备将 HBM 产量提高至 2.5 倍

SK海力士称预计到2030年公司高带宽内存（HBM）出货量将达到每年1亿颗。SK海力士明年也将增加设备投资，扩大HBM生产。该公司将在其现有的清州工厂增加一条生产 HBM 芯片所必需的新封装线。

11月14日 英伟达H200表明未来的发展方向在HBM

HBM3E是一种基于3D堆叠工艺的DRAM存储芯片,AI服务器对其需求强烈,在摩尔定律放缓、GPU核心利用率不足的背景下对高带宽存储反而成为瓶颈,HBM是破局关键。当前H200搭载的HBM3e为海力士新一代产品,明年三星、美光有望同步量产,新一轮行业趋势已经来临。

Altman 解雇：

Altman离职原因可能：外网推测主要原因关于安全问题可能是最大的原因。董事会认为现在的迭代速度会有AI道德相关风险的，并认定Altman有着报喜不报忧的行为。包括此前出走的Anthropic创始人兄妹也是因为安全原因离开OpenAI。

AI 监管: 天融信、拓尔思等

人M网：AI监管+数据要素两大核心行业中军，公司目前监管产品有图文智能化“内容风控大脑”、涉政智能化风控平台“人Min审校”、跨模态视频安全引擎“白泽”以及深度合成内容检测工具“AIGC-X”。

复合集流体：

今年4月，宁德时代麒麟电池全球量产首发车型极氪009使用了复合集流体后。预计12月初PP铜箔完成高温循环测试，PP耐酸性强，预计有较大概率通过测试，之后有望上车问界M9车型。

随着电动车保有量增多，消费者关注重点从“里程焦虑”到“安全焦虑”，锂电池热失控日益受到重视。复合集流体将会是一种趋势。不过周五已经发酵，周一再去也是下不去手啊。

宝明科技：持续投入复合铜箔，主业边际向好,金美科技复合铜箔已量产，其复合集流体有望搭载麒麟电池上车M9，行业趋势确定。

东威科技：水电镀有两个方向分别是滚镀和两面夹；滚镀设备还有不少公司（金美、腾盛、三孚新科），能做两面夹的只有东威； 滚镀设备目前还存在一些技术上的问题，很难解决，成本高，东威在2017年使用的该技术路线，后面转到两面夹；

璞泰来:10月9日，璞泰来与宁德时代签订《战略合作协议》，双方同意就复合铜箔集流体业务建立长期合作机制。

其他：东威科技、英联股份、骄成超声、万顺新材、双星新材、东材科技、铜峰电子。

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