SiC 产业链：低成本、高质量、大批量是产业化的核心
夜长梦山
2024-02-21 12:21:09
【华宝证券】SiC 产业链：低成本、高质量、大批量是产业化的核心
碳化硅的产业趋势确定性不断加强。随着纯电渗透率的提升，高压快充技术逐渐成为中高端车的标配且向更低价格带延申，一方面碳化硅功率器件在高压快充等应用场景上本身具有更大耐高温、耐高压、耐高频的性能优势，同时碳化硅功率器件在消费者心中获得了一定的产品认知；另一方面随着各大厂商的加速扩产及提升技术水平，上游衬底和外延材料端成本不断下降，技术进步及规模效应带来的价格的下降才是刺激碳化硅市场渗透的核心要素。
碳化硅材料、工艺、应用突破难度高，国内产业链尚未形成完整的闭环，需要全产业链齐心协力推进低成本、高质量、大批量的产业化。上游材料层面产能不足、良率不足、产品缺陷多，又会影响到器件的可靠性和良率，这又会造成应用层面使用困难，应用层面没有足够的需求和数据能够为上游材料器件降本和技术工艺改进提供支撑。目前国内进展较快的在衬底和外延材料端，头部厂商已进入海外大厂的材料供应链，但良率、高质量导电型、大尺寸等方面与海外厂商仍有一定差距；下游晶圆、器件模块端相对进展较慢，国产厂商在工业领域已获得较大突破，而进入新能源汽车主逆变器仍有一段距离，这需要全产业链齐心协力来推进低成本、高质量且大批量的产业化，这离不开上游材料提高良率改进工艺，更离不开下游器件模块，也离不开设备厂的国产化降本。
从各环节进展来看，我们认为各个环节的发展特征、目前水平、关注要点有所区别，核心关注产业趋势和企业订单情况。衬底环节一方面关注有效产能，虽然扩产规模及速度较快，但能够规模化量产出货的只有头部五家，其他公司均处于研发或小批量阶段；另一方面，关注客户订单，目前国内头部厂商已成功供应英飞凌、博世等国际大厂。外延环节国内厂商集中度较高，但有诸多上下游企业切入后续关注竞争格局的变化及头部企业的规模优势；国内晶圆制造环节的核心关键在于高温离子注入机的保有量，高温离子注入机是限制晶圆制造产能的瓶颈；器件模块环节进入新能源车主逆变器供应的进展情况。
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